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产品名称 |
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| Q-0334369 |
Zn配合物力致变色材料 |
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| Q-0334368 |
基于异烟酸衍生物的力致变色材料 |
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| Q-0334367 |
氟硼类力致荧光变色材料 |
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| Q-0334366 |
具有力致变色和光致变色的聚集诱导发光材料(ZTPEMB,ZTPEMB) |
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| Q-0334365 |
具有反应性基团羟基的罗丹明力致变色染料 |
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| Q-0334364 |
罗丹明基力致变色聚氨酯材料 |
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| Q-0334363 |
力致荧光变色材料定制合成 |
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| Q-0334362 |
具有AIE性质的压力致变色材料 |
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| Q-0334361 |
深红/近红外发光力致和电致变色材料 |
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| Q-0334360 |
含有罗丹明的力致变色材料 |
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| Q-0334359 |
基于异烟酸衍生物的力致变色材料 |
详细信息 |
| Q-0334358 |
由红色到近红外的高发光力致变色材料 |
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| Q-0334357 |
一种棒形的化合物4,4'-二(α-腈基-4-苯丙氧基苯乙烯)联苯(Ben-DCSB) |
详细信息 |
| Q-0334356 |
基于苯乙烯腈结构的可逆力致变色化合物 |
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| Q-0334355 |
有机深红/近红外发光小分子BTA-TPA |
详细信息 |
| Q-0334354 |
有机深红/近红外发光小分子BTA-DMeO |
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| Q-0334353 |
基于苯并噻二唑的D-A分子设计及其压致变色 |
详细信息 |
| Q-0334352 |
三苯胺基二氟硼发光化合物的力致可逆荧光变色 |
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| Q-0334351 |
新型二芳基乙烯分子DTED光致变色材料 |
详细信息 |
| Q-0334350 |
压致变色聚集诱导发光材料 |
详细信息 |
| Q-0334349 |
具有多颜色变化性质的力致荧光变色化合物 |
详细信息 |
| Q-0334348 |
以苯丙氨酸(Phe)和天冬氨酸(Asp)为构筑单元的多肽类分子 |
详细信息 |
| Q-0334347 |
以天然氨基酸为构筑单元的力致变色材料 |
详细信息 |
| Q-0334346 |
全色可调(~450 nm到~740 nm)的力致荧光变色材料 |
详细信息 |
| Q-0334345 |
侧边具有不同芳香基团取代基的BOPIM化合物(BOMPIM-Ph,BOPIM-Th和BOPIM-TTh) |
详细信息 |
| Q-0334344 |
基于硼2-(2,-吡啶)咪唑(BOPIM)的染料分子 |
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| Q-0334343 |
基于硼2-(2,-吡啶)咪唑的力致变色材料 |
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| Q-0334342 |
AIE(或AIEE)D-π-A型咔唑类有机小分子(D = donor,π=电子共轭体系,A= acceptor)类力致变色材料 |
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| Q-0334341 |
具有聚集诱导发光的咔唑类力致变色材料 |
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| Q-0334340 |
具有聚集诱导发光性质的可逆力致变色材料 |
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| Q-0334339 |
D-π-A型的咔唑衍生物 |
详细信息 |
| Q-0334338 |
咔唑类力致变色材料 |
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| Q-0307388 |
镧系稀土元素掺杂硅基半导体材料光电 |
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| Q-0307386 |
锑化铟(InSb)基化合物半导体材料 |
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| Q-0307384 |
AlGaN基宽禁带半导体光电材料 |
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| Q-0307383 |
ZnO半导体光电材料 |
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| Q-0307381 |
二芳基芴类多孔有机光电半导体材料 |
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| Q-0307380 |
含铋复合氧化物半导体Bi2MoO6 |
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| Q-0307378 |
含铋复合氧化物半导体BiVO4 |
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| Q-0307375 |
含铋复合氧化物半导体Bi2WO6 |
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| Q-0307373 |
二氧化钛半导体光催化 |
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| Q-0307370 |
噻吩异靛类有机半导体材料 |
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| Q-0307368 |
GaN基半导体材料 |
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| Q-0307367 |
螺吡喃——P3HT复合半导体材料 |
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| Q-0307364 |
芴稠噻吩并噻吩类半导体材料 |
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