P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延的技术方法

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4H型SiC（4H-SiC）产品描述：

六方结构的4H型SiC（4H-SiC）具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能比较好、商品化程度高、技术成熟的第三代半导体材料

P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延的基本信息

SiC外延膜实物图：

碳化硼SiC的外延生长的方法包括以下几种

1)化学气相淀积CVD:（分为CVD和HTCVD高温两种）

2)升华或物理气相传输法PVT（分为Lely熔法/LETI法和升华三明治法）

3)分子束外延MBE

4)液相外延LPE：（又包含Si溶剂和其他溶剂两种）

化学气相淀积CVD法是制造**外延结构的方法。反应器中的压力可以通过气体产生，低压化学气相淀积LPCVD，压力为10~1000mbar，低压可以减小气相成核，SiC一般使用较为广泛。这种方法的产量非常高。外延生长过程中，气相Si和C的比例会影响生长速率、外延层的质量以及杂质的掺入，CVD的一个优势便是可以在生长过程中很好地控制Si/C比。目前，对于SiC外延层仍然存在各种缺陷，从而对器件特性造成影响，所以针对SiC的外延生长工艺需要进行不断的优化，同时整个SiC器件的生产工艺以及设备也是后期不断关注的话题。

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