您当前所在位置:首页 > 宣传资料 > 特殊定制
P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延的技术方法
发布时间:2020-07-08     作者:zhn   分享到:

P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延的技术方法

 

西安齐岳生物科技有限公司提供各种进口或者国产的薄膜,尺寸可定制;各种基底的薄膜;品质高;有关技术资料欢迎咨询。同时提供各种二维材料;石墨烯、氮化硼、二硫化钼、CVD生长的薄膜、晶体、异质结、薄膜(蓝宝石、PET、铜膜、石英、云母、银膜、SOI基底、Si玻璃基底)等材料。

 

4HSiC4H-SiC产品描述:

六方结构的4HSiC4H-SiC)具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势,是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料,也是目前综合性能比较好、商品化程度高、技术成熟的第三代半导体材料

 

P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延的基本信息


产品名称

P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延

产品名称:

4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P

常规尺寸:

dia4" ±0.5 mm  x 0.525 ±0.025 mm

4H-SiC薄膜厚度:

4.3um ±10%

4H-SiC薄膜厚度:

1.4E17/cc +0% /- 30%

载流子浓度:

(3~ 10)E16 /cc

导电类型:

P型

抛光情况:

双面抛光

4H-SiC基片尺寸:

dia 2 inch x330±25un

4H-SiC基片电阻率:

< 0.03 ohm-cm

4H-SiC抛光:

Si面CMP单抛

标准包装

超净袋真空包装或单片盒装

生产厂家

西安齐岳生物科技有限公司

 

 

SiC外延膜实物图:

image.png

碳化硼SiC的外延生长的方法包括以下几种

1)化学气相淀积CVD:(分为CVDHTCVD高温两种)

2)升华或物理气相传输法PVT(分为Lely熔法/LETI和升华三明治法)

3)分子束外延MBE

4)液相外延LPE:(又包含Si溶剂和其他溶剂两种)

image.png

 

化学气相淀积CVD法是制造**外延结构的方法。反应器中的压力可以通过气体产生,低压化学气相淀积LPCVD,压力为10~1000mbar,低压可以减小气相成核,SiC一般使用较为广泛。这种方法的产量非常高。外延生长过程中,气相SiC的比例会影响生长速率、外延层的质量以及杂质的掺入,CVD的一个优势便是可以在生长过程中很好地控制Si/C比。目前,对于SiC外延层仍然存在各种缺陷,从而对器件特性造成影响,所以针对SiC的外延生长工艺需要进行不断的优化,同时整个SiC器件的生产工艺以及设备也是后期不断关注的话题。

 

image.png

 

西安齐岳生物供应薄膜产品列表

Ag膜

ITO膜

Si3N4膜

Al膜

InAlAs膜

SOS膜

AlN膜

InGaAs膜

SOI膜

Au膜

InGaP膜

SiC 4H 膜P型

AlGaN膜

ITO+ZnO

SiC 3C膜

BN氮化硼薄膜

La0.7Sr0.3MnO3/Pb0.19Zr0.2Ti0.8O3

SiO2膜

Ba1-xSrxTiO3膜

La0.7Sr0.3MnO3/ PbZr(x)Ti(1-x)O3

SrTiO3膜

BiFeO3膜

SiO2+Pt 薄膜

YBCO膜

Cu铜膜

SrMoO4薄膜

YIG膜

CeO2膜

LaFeO3膜

ZnO膜

Diamond金刚石膜

LaNiO3膜

掺杂ZnO膜

FTO导电膜

La1-xSrxMnO3膜

SrRuO3薄膜

GOI膜

La1-xSrxTiO3膜

TiO2薄膜

GaAs膜

La2Zr2O7膜

ZnO/Au/Cr薄膜

GaN膜

Mo膜

ZnO/SiO2复合薄膜

Ga2O3-ß膜

MoS2膜

ZnO/钠钙玻璃薄膜

Ge膜

Ni膜

ZnO/Pt/T复合薄膜

Graphene石墨烯

Pt膜


Ag膜

ITO膜

Si3N4膜

Al膜

InAlAs膜

SOS膜

AlN膜

InGaAs膜

SOI膜

 

以上资料源于西安齐岳生物科技有限公司

如有其他信息或产品信息咨询请咨询我们

西安齐岳生物科技有限公司

Xi'an qiyue Biological Technology Co;Ltd


库存查询