基于GeSn/Ge双层纳米线光电探测器件及性能表征

研究人员利用分子束外延技术，成功制备出大面积、高密度且高长宽比的Ge纳米线，并利用其作为模板，通过二次沉积法获得了Sn组分可达~10%的GeSn/Ge双层纳米线结构。由于纳米线具有柔性且**的比表面积，能够通过弹性形变的方式自主弛豫释放GeSn/Ge之间晶格失配引入的应力，从而****GeSn/Ge界面处的缺陷形成。由于GeSn具有较窄的禁带宽度，因此基于GeSn/Ge双层纳米线的光电探测器件比Ge纳米线光电探测器具有更长的探测波长，延伸到2 μm以上。为了**窄禁带宽度GeSn引起的暗电流增加，研究人员进一步引入具有铁电性的P(VDF-TrFE)离子胶作为栅介质，通过侧栅调控大幅降低了GeSn/Ge双层纳米线光电探测器的暗电流与静态功耗，从而实现了兼具长波长与低暗电流的光电探测，对于拓展Ⅳ族材料纳米线结构在光电探测领域的研究与应用具有重要参考意义。

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以上资料来自西安齐岳生物小编zhn2021.03.4