制备：

原料：氯甲基三氯硅烷（Cl3SiCH2Cl）和乙炔基溴化镁（HC≡CMgBr）。

过程：通过Grignard偶合反应和还原反应制备得到。

性质：

结构：在分子链末端引入Si—H和乙炔基。

耐热性：氮气氛围下EHBP失重5%时的温度（Td5）为578.8℃，1000℃时的质量保留率为82.3%；空气氛围下Td5为549.6℃，1000℃时的质量保留率为69.2%。

陶瓷化产物：1600℃下EHBP的裂解产物中存在α-SiC和β-SiC晶体，结晶完善，晶粒分布均匀，晶粒尺寸为15~20nm。

应用：EHBP聚合物具有优良的耐热性和耐热氧化性，有望在高温、抗氧化等领域得到应用。

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