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GO及 MGO的制备,不同含量MGO环氧树脂复合材料冲击断面的SEM 照片
发布时间:2021-03-19     作者:yyp   分享到:

与天然的、结构完整的石墨相比,氧化石墨烯CGO则含有极性基团如羟基、环氧基、羧基等,使其层间存在氢键因此具有较强的亲水性,有机溶剂不能渗入片层间;另一方面其较弱的亲油性,也限制了其在高聚物中的分散。这给GO在复合材料加工等领域的应用带来一定的障碍。

环氧树脂由于具有优良的抗化学品性能,好的附着力,以及刚性强,耐热、耐磨性好,固化后具有优良的黏接性能、电气性能、低收缩率等,广泛应用于涂料、油墨、胶黏剂、复合材料等领域,可以说环氧树脂是一种通用性的材料,但其存在脆性大,强度和韧性不足等缺点。

GO及 MGO的制备:

GO制备;于4℃取1g石墨和120 mL浓硫酸和13.3 mL浓HPO混合液,再缓慢加入6gKMnO,,缓慢升温至40 ℃,再加热至50℃反应12 h,结束后缓慢加入到400mL水中稀释,滴加30%双氧水直到出现棕黄色,过滤洗涤,干燥后保存。

MGO的制备:将0.2 g GO.50 mL乙醇超声分散,在另一烧杯中加入一定量偶联剂和50 mL去离子水,调节 pH值为3,搅拌水解30 min,然后缓慢加入到GO的均勾分散液中,60℃反应4 h,离心分离,多次洗涤,8O℃下干燥24 h,研磨后保存备用。

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图1是不同含量MGO环氧树脂复合材料冲击断面的SEM 照片。

供应产品目录:

CVD-MOS2 三角形单晶

CVD-WS2 三角形单晶

CVD-MoSe2 三角形单晶

CVD-WSe2 三角形单晶

CVD-MOS2 连续薄膜

CVD-多层氮化硼BN薄膜

CVD-单层氮化硼BN薄膜

CVD-MoS2少层薄膜

MOS2/WS2异质结

WS2/WSe2异质结

MOS2/WSe2异质结

CVD-三维镍基氮化硼BN泡沫

CVD-三维氮化硼BN泡沫

M1相二氧化钒VO2单晶薄膜

三氧化二钒V2O3单晶薄膜

B相二氧化钒VO2单晶薄膜

CVD-SnS2单层薄膜(进口)

CVD-ReS2单层薄膜(进口)

CVD-ReSe2单层薄膜(进口)

CVD-SnSe2单层薄膜(进口)

CVD-WS2单层薄膜(进口)

CVD-WSe2单层薄膜(进口)

CVD-PtSe2单层薄膜(进口)

CVD-MoS2xSe2(1-X)合金单晶

CVD-WS2-WSe2面内异质结

CVD-少层氮化硼BN薄膜

硅基单层氮化硼BN薄膜

CVD-多层氮化硼BN薄膜

CVD-PdS2薄膜(进口)

硅基氮化硼/石墨烯异质结

铜基单层氮化硼薄膜

SiO2/Si衬底单层氮化硼薄膜

一步转移法单层氮化硼薄膜

CVD-2H-MoTe2全覆盖连续薄膜(进口)

CVD-WSe2 全覆盖连续薄膜

CVD-WSe2 全覆盖连续薄膜(进口)

MBE-MoSe2三角形单晶

MBE-MoS2三角形单晶

MBE-WS2三角形单晶

MBE-WSe2三角形单晶

ALD-GaSe薄膜样品

ALD-GaTe薄膜样品

CVD-Sb2Te3 单层薄膜(进口)

CVD-MoSe2 单层薄膜(进口)

ALD-GaS薄膜样品

ALD-Vdw薄膜样品

CVD-PdSe2薄膜

CVD-PdS2薄膜

CVD-MoSe2多层薄膜

CVD-WS2多层薄膜

CVD-MoS2多层薄膜

转移的CVD类石墨烯

CVD-GaSe三角形晶体

ALD-GaTe薄膜样品

CVD-GaSe三角形单晶

CVD-WS2连续薄膜

CVD-MoSe2连续薄膜

CVD-WSe2连续薄膜

钛酸钡铁电单晶薄膜- BaTiO3

镧锶锰氧铁磁薄膜-LaSrMnO3

钨掺杂M1相VO2单晶薄膜

2英寸CVD二维连续薄膜

CVD-PtS2连续薄膜-(多层)

yyp2021.3.19



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