稀土金属EuX2–N 8配合物的电致发光性能
根据光物理和稳定性研究,Eu X 2 –N 8配合物是用于OLED的更好的候选发光体。在装置制造之前,从它们的紫外光电子能谱(补充图8)和紫外吸收光谱数据推导了两个配合物的较高占据分子轨道(HOMO)和较低未占据分子轨道(LUMO)能级 。然后,由于缺乏用于OLED的Eu 2+络合物的经验,已经致力于优化器件结构。EuBr 2 –N 8先选择用于器件优化,其包括:筛选的主体材料,发现空穴输送层的较佳组合(HTL)和电子传输层(ETL),调节所述发射层的在补充部分的厚度 1 - 4。然后,我们遵循优化的条件下,并进一步调节掺杂浓度和EUI的发射层的厚度2 -N 8装置在补充部分 5 - 6。补充材料中显示了所用材料,设备优化和性能的详细信息。 9 – 17和补充表 3 – 8。
对上述过程的基础上,优化的OLED结构是ITO /的MoO 3(2纳米)/ Ñ,Ñ ' -双(1-萘基) - ñ,Ñ ' -二苯基- (1,1'-联苯)-4,4'-二胺(NPB,50nm)的/ cyclohexylidenebis [ ñ,ñ ' -二(对甲苯基)苯胺](TAPC,10纳米)/ Eu的X 2 -N 8:4,4',4 ''-三[苯基(间甲苯基氨基)氨基]三苯胺(m-MTDATA,25 nm)/二苯基[4-(三苯基甲硅烷基)苯基]氧化膦(TSPO1,10 nm)/ 4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen,30 nm)/ LiF(0.7 nm)/ Al。较好的EuBr 2 –N 8设备给出与导通电压(相当不错的表现V上6.2 V,较大亮度(的)大号较大)的10200 CD米-2,较大电流效率(CE较大52.8光盘的)-1和较大EQE为15.5%。虽然冠军装置通过使用EUI得到2 -N 8作为发射极,所述V上,大号较大值,CE较大值,和EQE较大值是6.5 V,25470 CD米-2,62.4光盘-1,和17.7%,分别。这些结果如图4所示。 远远超过了以前报道的**基于Eu 2+的OLED,EQE较大值为0.01%,L max值为10 cd m -2,V on值为20 V 26。此外,冠军设备的电致发光寿命确定为2.5 mA cm -2和10 mA cm -2,这略短于基于三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)的控制设备在相同光谱区域内研究的磷光发射体(补充图 18))。应当指出的是,这两种设备都显示出非常短的寿命,因为这不仅与发射材料有关,而且还与主体材料,电荷传输材料,设备制造,密封条件等有关。
图:Eu X 2 -N 8化合物的器件结构和电致发光性能。
a具有所有有机材料的前沿轨道能级和相应厚度的经过优化的OLED器件结构。在EML中,EuI 2 –N 8的HOMO和LUMO级别以绿色虚线表示。b在从7 V到13 V的不同电压下,冠军设备的电致发光光谱。c冠军设备的电流效率-亮度-外部量子效率(CE-L-EQE)曲线。d冠军设备的电流密度-电压-亮度(J–V–L)曲线。
值得注意的是,Eu的X 2 -N 8设备具有相当高的V上的值超过6 V考虑主体材料的带隙只有3电子伏特(〜400nm)的。为了理解该现象,研究了通过在高真空度(10 -5 Pa)的真空室中将m-MTDATA中的10 wt%Eu X 2 –N 8掺杂到石英衬底上制成的薄膜的光物理性质。还制作了Eu X 2 –N 8的纯膜作为参考。掺杂膜的发射主要位于两个波段,其中400–470 nm波段(τ〜1.2 ns)归因于主体材料发出的荧光,而500–650 nm波段(τ〜102 ns)来自补充图 19中的Eu X 2 –N 8。激发光谱表明,在纯膜中,两个主要激发带位于320 nm和390 nm左右,这与溶液和固态研究相近。两种掺杂膜在350 nm处具有几乎相同的激发带,表明光能先激发基质材料,然后转移至掺杂Eu 2+络合物,而在光致发光过程中并未完全转移能量。有趣的是,电致发光光谱仅表现出Eu 2+的发射掺杂浓度(7 wt%)低于光致发光研究中的化合物。因此,我们初步提出,载流子重组主要发生在掺杂材料中而不是主体材料中,其中配体的激发导致高的V on。
总之,合成了四种含Eu 2+的氮杂盐Eu X 2 –N n(X = Br,I,n = 4,8),显示出有希望的光致发光特性:PLQY高(对于N 8配合物约为100%),短激发态寿命(10 2 ns)和配体场易于调节的发射。有趣的是,EuI 2 -N 8在研磨过程中表现出可逆的变色性质,这归因于N 8配体和重结晶的潜在柔韧性。此外,EuX 2 –N 8由于复合物具有良好的空气/热稳定性,因此它们被选作OLED的发光材料。经过优化设计后,较好的设备表现出出色的性能,较大EQE为17.7%,亮度为25,470 cd m -2。我们的工作加深了对Eu 2+配合物的光致发光和电致发光性质的理解,并证明了它们在OLED中的应用前景广阔。
wyf 03.19