疏水性量子点的二氧化硅表面修饰（SiO2）

与亲水性的QDs 相比，由于在有机体系中合成的疏水性QDs，其粒径分布均匀、结晶度较高、晶粒稳定性和荧光稳定性强，在光电器件、发光二极管、生物成像等领域有巨大的应用前景。然而，在实际的使用过程中，需要考虑其他器件材料对QDs 的影响，周围材料与之匹配度及QDs自身毒性所带来的影响等一系列问题，这就需要对QDs进行一定的表面修饰。

对疏水性量子点表面修饰的早期研究主要注重在用两亲性聚合物或者磷脂进行表面包覆，形成水溶性量子点胶束，获得了高荧光量子效率的亲水性量子点。但是，聚合包覆后的量子点尺寸会增大许多，引起了荧光共振能量转移测试等诸多应用上的问题。

近几年来对疏水性QDs表面修饰研究的进展，发现二氧化硅是较为常用的修饰材料，主要是通过与疏水性QDs的原表面配体进行交换实现对QDs的改性，从而达到对QDs修饰的目的。就二氧化硅本身而言，具有良好的生物相容性、生物惰性，而且在水相环境中其稳定性高于常规材料;其次，二氧化硅还具有良好的透光性;然后，由于二氧化硅表面含有大量的羟基官能团，使得不同的特定官能团可以方便的与之连接，实现功能化修饰的目的。同时，使用二氧化硅对疏水性的 QDs进行表面修饰，其操作过程简单且易于调节孔隙率，具有一定的可加工性;通过二氧化硅的修饰作用将疏水性的QDs包覆其中，可以降低QDs自身的毒性，**的改善其可亲水性，增强其生物相容性;其次，使用二氧化硅包覆可以适当的防止 QDs在应用环境中发生降解;二氧化硅的包覆作用可以很好的防止 QDs发生团聚而影响其分散性和荧光强度。综上所述，使用二氧化硅材料对疏水性的 QDs进行表面修饰是为其能够广泛的被应用在光电转化器件（如薄膜材料)、发光和显示材料、生物靶向**和病灶检测等方面。

常用的硅烷修饰试剂有3-疏基丙基三甲氧基硅烷(MPS)、3-氨基丙基三甲氧基硅烷(APS)、原硅酸四乙酯(TEOS)等。采用MPS对表面配体为三辛基氧化膦(TOPO)的QDs进行了二氧化硅修饰,在碱性条件下使MPS替换原配体，且水解后的MPS通过脱水缩合在QDs的表面形成二氧化硅材质的包覆层，具体可参见图1，同时，还可以引入带有特定官能团的硅烷前驱物实现表面功能化。但是，硅烷化后QDs的荧光量子效率较低，仅仅达到了原来油相的10%。随后，研究人员使用了APS对疏水性的量子点进行硅烷化修饰，并对带有氨基的QDs进行了蛋白修饰用于体外细胞成像的研究，但是未能取得理想的效果。TEOS作为合成二氧化硅材料的试剂也被用于对疏水性的QDs进行表面修饰研究，主要用于制备二氧化硅荧光纳米球。

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二氧化硅纳米颗粒包裹125 I标记多肽    

二氧化硅(SiO2)包裹碳化硅颗粒(SiCp)    

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二氧化硅包裹的中空四氧化三铁壳核结构纳米颗粒    

二氧化硅包裹结晶水合盐相变材料微胶囊    

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氧化硅包裹的Eu-TTA-TOPO纳米粒子    

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叶酸标记的荧光二氧化硅包裹金纳米粒子(FA-AuNPs@SiO2-TCPP)    

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二氧化硅包裹结晶水和盐相变材料微胶囊    

聚苯胺/金复合物包裹的二氧化硅    

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二氧化硅包裹荧光碳量子点复合微球    

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二氧化硅修饰蒙脱土(MMT)    

荧光二氧化硅纳米颗粒(FSNPs)    

亲水纳米二氧化硅修饰丝网印刷碳糊电极    

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