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原子级厚度的硒氧化物薄膜的分子束外延和电子结构(图文解读)
发布时间:2021-04-20     作者:zl   分享到:

原子级厚度的硒氧化物薄膜的分子束外延和电子结构

  原子级厚度的金属氧化物和硫族元素化物(硫化物、硒化物以及碲化物等)(如过渡金属二硫化物、超导βFeSe、拓扑绝缘体Bi2Se3Bi2Te3以及LaAlO3/SrTiO3)及其异质结构具有丰富的物理特性和应用前景,因而近年来受到很大的关注。氧硫族化合物可视为硫族化合物和氧化物的混合和桥接,具有如高载流子迁移率、热电、铁电和超导性等**性质。Bi2O2Se是氧硫族化合物家族的**代表,是一种空气稳定的高载流子迁移性的层状半导体,为下一代数字器件和光电子学带来了新的机会。然而,目前Bi2O2Se的研究主要集中在块状晶体和多层薄膜样品上,主要原因是原子级级厚度的Bi2O2Se薄膜的生长还存在巨大挑战。与传统CVD方法相比,分子束外延由于其2D生长模式和超低生长速率而在厚度**可控生长等方面展现出**的优势。此外,分子束外延所要求的超高真空环境也保证样品的超洁表面,有助于直接观察原子薄膜的电子结构。然而,原子级厚度的硒氧化物薄膜的分子束外延生长尚未实现。

1 原子级厚度Bi2O2Se薄膜的制备

image.png

(a) 在(001)取向的SrTiO3STO)衬底上外延生长原子级厚Bi2O2Se薄膜的示意图;

(b) Bi2O2Se的晶体结构;

(c) SrTiO3的晶体结构。

2 通过MBE生长Bi2O2Se薄膜的**厚度控制

image.png

(a) TiO2为终止面的STO基底的表面形貌;

(b-e) MBE生长的、不同厚度的Bi2O2Se薄膜的AFM形貌;

(c) MBE生长的Bi2O2Se薄膜厚度与生长时间的关系。

3 MBE生长Bi2O2Se的横截面TEM表征

image.png

(a) Bi2O2Se薄膜与STO间界面的横截面HAADF-STEM图像;

(b) a图中白框区域界面的原子级分辨率HAADF-STEM图像;

(c) b图中HAADF图像在具有单轴应变分量εxx条件下的几何相位分析;

(d) b图中HAADF图像在具有单轴应变分量εzz条件下的几何相位分析;

(e) EDS得到的界面上BiSeOSrTi的原子级分辨率元素图;

(f) 显示原子模型的界面的HAADF-STEM图像。

4 MBE生长的一个单胞(1-UC)厚 Bi2O2Se薄膜的电子结构

image.png

(a) 通过ARPES检测的1-UCBi2O2Se膜的示意图;

(b) 在宽能量范围内恒定能量轮廓的堆叠图;

(c) i) VBMii) VBM-0.4 eV频带处的恒定能量轮廓的光电发射强度图;

(d) 1-UCBi2O2Se膜的色散;

(e) 在表面钾掺杂前(i)和相应的EDCii)的能带色散;

(f) 在表面钾掺杂后(i)和相应的EDCii)的能带色散。

  通过在氧气氛围中共蒸发BiSe前驱体实现了原子级薄Bi2O2Se薄膜的MBE生长,在优化条件下采用2D生长模式而且Bi2O2Se薄膜的**厚度控制也的得以实现。研究发现,MBE生长的**Bi2O2Se显示出原子级分辨的清晰界面和原子排列。通过角分辨光电子能谱成功观察到MBE生长的1-UC Bi2O2Se薄膜的电子结构,研究结果表明其展现出0.15 m0的低**质量,高的迁移率和与块状薄膜相比轻微的带隙展宽。

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