Cu掺杂ZnCdS量子点 掺杂改性的半导体纳米材料

Cu 掺杂 ZnCdS 量子点是一种经过元素掺杂改性的半导体纳米材料。基础的 ZnCdS 量子点本身具有一定的半导体性能，而引入 Cu 掺杂后，地改变和拓展了其原有性质。

从结构上看，Cu 原子进入 ZnCdS 的晶格结构中，部分取代了原有的 Zn 或 Cd 原子位置，从而改变了量子点的晶体结构和电子云分布。这种结构变化直接影响了其光学性质。掺杂后的量子点，其吸收光谱和发射光谱发生了显著改变。Cu 的掺杂引入了新的能级，使得量子点能够吸收和发射不同波长的光。通常情况下，会观察到荧光发射峰的红移现象，即发射光的波长变长，这为其在不同光学应用场景中的选择提供了更多灵活性。

在发光性能方面，适量的 Cu 掺杂能够有效提高 ZnCdS 量子点的荧光量子产率。这意味着更多的吸收光子能够转化为荧光发射，使量子点发出更明亮的光。这种增强的发光性能使得 Cu 掺杂 ZnCdS 量子点在发光二极管、荧光传感器等领域具有潜在应用价值。

名称：Cu掺杂ZnCdS量子点

纯度：95%+

性状：基于不同的分子量，呈白色 / 类白色固体，或液体。

溶剂：溶于二氯甲烷、DMSO、水等常规有机溶剂。

储藏条件：-20°C干燥避光保存

包装规格：50mg  100mg  250mg  500mg（按需提供）

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仅供科研，不能用于人体实验AXC.2025.03.04