黑磷量子点（BPQDs）作为**的类晶种位点，以调节CsPbI2Br钙钛矿晶体薄层的成核和生长，从而增强了结晶并**改善了形貌,揭示了BPQDs的孤对电子可以诱导CsPbI2Br前体溶液的分子磷原子进行强结合。退火过程中的四相转变产生了稳定的α相CsPbI2Br。BPQDS/CsPbI2Br核-壳结构同时增强了稳定的CsPbI2Br微晶并**BPQD的氧化。因此，在环境条件下，0.7wt%的BPQDs嵌入CsPbI2Br薄膜器件中，可以获得15.47%的功率转换效率，提高了电池的稳定性。
〖图文导读〗
以下TEM表明通过液相剥离获得的BPQDs的直径为3-5 nm，尺寸分布较窄（图1A）。高分辨TEM图像显示d间距为0.26和0,17 nm，分别对应于BP晶体的（020）和（060）晶面（图1B）。图1C为BPQDs溶液的吸收光谱，显示出从紫外线（UV）到700 nm的波长区域的吸收。XPS显示主要的P 2p峰位于129.8 eV附近（图1D）。
该研究首次发现CsPbI2Br薄膜的结晶过程包括四个阶段和三个阶段的转变，即在室温下为新鲜薄膜（黄色δ相），在50°C下为黑色相，在150°至200°C下为棕色相以及在280℃为黑立方α相。在CsPbI2Br前体溶液中添加少量的BPQD（0.5和0.7 wt％）会**改善CsPbI2Br膜在表面覆盖率和表面均匀性方面的形态学特性（图2A-D）。作者发现BPQDs @ CsPbI2Br杂化膜（0.7 wt％）的颜色在200°C下从棕色变成黑色（图2E- H）。在图2I中，CsPbI2Br薄膜在50°C时在14.69°和29.63°处出现两个分裂峰，代表低对称四方β相。在从100°C到200°C的温度转变过程中，薄膜的XRD谱图逐渐发展为**的δ相。在280°C退火后，纯α相主导了XRD图案。这些研究进一步证实了CsPbI2Br 结晶过程中的三相转变。相反，BPQDs@CsPbI2Br薄膜在200°C时已经显示出纯α相特性，具有（100）和（200）取向的强结晶峰（图2J）。这些结果表明，BPQD可以降低形成纯α相钙钛矿的能垒，从而产生光滑且高度结晶的BPQDs@CsPbI2Br。
共聚焦激光扫描荧光显微术（CLSM）用来研究在掺入少量BPQD后CsPbI2Br钙钛矿晶体膜的成核和生长的分子途径。对于原始的CsPbI2Br，在开始阶段，SnO2薄膜表面上开始形成具有不同尺寸和形状的晶核（图3A）；随着温度升高，具有不均匀尺寸的各种晶核趋向于生长成较大的晶体块，导致钙钛矿膜的形态不规则和空洞（图3B-C）。当掺入BPQD时，该添加剂可建立**的异质成核位点，从而触发CsPbI2Br晶体的均匀生长。图3D显示，由于高且规则的成核密度，小晶体均匀地分布在BPQDs@CsPbI2Br的整个表面。磷的孤对电子（LPE）和CsPbI2Br阳离子之间的相互作用可能会促进杂化膜的均匀覆盖和光滑表面特性（图3F）。
黑磷量子点/石墨相氮化碳复合光催化剂(g-C3N4/BPQDs)
银纳米簇/黑磷量子点双掺杂金属有机骨架MOF复合物(AgNCs/BPQDs/MOF)
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