2D二维结构硒化锡SnSe的各向异性生长(含图)
发布时间:2021-05-26     作者:axc   分享到:
2D二维结构硒化锡SnSe的各向异性生长(含图)
二维(2D)材料沿特定晶轴的可控各向异性生长对于探索与晶轴相关的性能至关重要,这是由于不同晶轴中原子排列的不同引起的,而相关研究仍不足。
鉴于此,近日,我们从实验和理论角度证明了2D SnSe在不同晶轴方向上可控各向异性生长的系统研究。2D SnSe的各向异性生长归因于zigzag边缘(沿b轴)和armchair边缘(沿c轴)之间原子结构和键合特征的差异,以及a轴基面的化学惰性。STEM图像进一步验证了矩形2D SnSe的长边是armchair边缘,而短边是zigzag边缘。氢气可以**地调节沿b轴和c轴的生长速率,这归因于氢气在不同边缘结构之间的脱附能不同。较高的氢气浓度导致较短的b轴和较长的c轴。2D SnSe的形态可以在正方形纳米片到线性纳米线的范围内调节。就a轴而言,2D SnSe通过一步快速冷却方法**地限制在7.42 nm的最小值,并且可以通过带有额外退火蚀刻步骤的两步方法进一步减薄为双层。这项研究证明了一种可行的策略,可以实现2D各向异性材料的结构依赖性可控生长,为各向异性材料的晶轴取向判断以及与晶轴相关的机理提供了新的思路。
〖图文介绍〗
图2. 多层2D SnSe的角分辨偏振拉曼光谱。
图3. 2D SnSe沿b轴和c轴的可控各向异性生长。
图4. 2D SnSe沿a轴的厚度可控生长。
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