超宽禁带半导体材料:氧化镓(Ga2O3)外延薄膜，蓝宝石衬底上Ga_2O_3薄膜，提供定制

Ga2O3薄膜

Ga2O3薄膜的外延生长

超宽禁带半导体材料:氧化镓(Ga2O3)外延薄膜

蓝宝石衬底上Ga_2O_3薄膜

基于SiC衬底的Ga2O3薄膜

产地：西安

用途：仅用于科研

外观：瓶装

供应商：西安齐岳生物科技有限公司

描述：

Ga2O3是一种具有直接带隙的宽禁带氧化物半导体材料,其禁带宽度约为4.9eV,比GaN(Eg～3.4eV)的禁带宽度还要大,并且因为Ga2O3材料具有制备方法简单,便于批量生产以及稳定的物理化学特性等优点而成为一种非常有前途的紫外和蓝光材料.在多种Ga2O3材料的同分异构体中,β-Ga2O3稳定,也是Ga2O3材料目前应用和研究比较多的晶型.β-Ga203材料虽然在很多领域有着广泛的应用前景,但由于传统方法制备的薄膜材料的结构和性能比较差,限制了其在实际中的应用.要使β-Ga203薄膜材料在光电器件等领域得到实际应用,对β-Ga203材料的单晶外延生长开展深入系统的研究就显得尤为重要. 

西安齐岳生物科技有限公司经营的产品种类包括有：合成磷脂、高分子聚乙二醇衍生物、嵌段共聚物、磁性纳米颗粒、纳米金及纳米金棒、近红外荧光染料、活性荧光染料、荧光标记物、蛋白交联剂、小分子PEG衍生物、点计化学产品、树枝状聚合物、环糊精衍生物、大环配体类、荧光量子点、透明质酸衍生物、石墨烯或氧化石墨烯、碳纳米管、富勒烯，二氧化硅及介孔二氧化硅，聚合物微球，近红外荧光染料，聚苯乙烯微球，上转换纳米发光颗粒，MRI核磁造影产品，荧光蛋白及荧光探针等等。我们可以提供薄膜的定制合成：

玻璃基底上La1-xSrxMnO3纳米薄膜

La1-xSrxTiO3薄膜

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玻璃上镀Mo (Mo-coated Sodalime glass )

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