纳米硅量子点(Si QDs)的发光机制研究
发布时间:2021-07-01     作者:zhn   分享到:
硅量子点(Si QDs)的尺寸一般小于10 nm,由于量子限域效应和表面效应而表现出与体硅材料不同的电子和光学性质,因此硅量子点受到了研究者的关注。
图1 性能表征
a,根据Gregorkiewicz研究组的实验数据,硅量子点间接带隙基态PL带和高能直接带隙PL带随量子点直径大小改变的变化。
b,对于直径3,在温度为70 K测得的单量子发光谱和吸收谱与理论计算结果的比较。
c,Gregorkiewicz研究组的实验数据指出随量子点减小直接带隙在能量上迅速红移(光谱上的红移是指光子能量变小,光子波长变长),该研究的理论结果指出随硅量子点变小,直接带隙没有发生**红移,而是有一点蓝移。
图2 实验数据的比较
黑色,红色和蓝色符号分别对应于具有任何Γ-特征、具有≥10%和≥50%的Γ-特征的**能量状态。
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