硅烯在Ag/Ir衬底表面生长机理的研究进展（近期更新...）

我们先简要地了解关于硅烯理论预测的一些性质和应用，如在外部垂直电场下，硅烯的可调带隙;在磁光响应下，硅烯的谷自旋偏振等，这些性质和应用说明了硅烯可被广泛应用于未来的纳米电子器件。对硅烯未来的研究、发展方向和应用前景做了展望，认为硅烯的工艺制备方面有待进一步拓展，硅烯也有着更好的应用前景。

硅烯在Ag（11）衬底表面的合成方法：

在超真空的条件下，硅烯在银衬底上的外延生长过程很复杂。受到很强的界面相互作用，硅烯结构出现重构，原子的屈曲程度发生改变，对称性降低，元胞变大。当衬底温度低于500 K时，硅原子在Ag(11)表面上会生长出多种不同周期的结构相，当衬底温度提高到500 K时，在银衬底上形成一种有序的大面积的单层结构，该结构的硅烯薄膜具有良好的稳定性和完整性。

500K时在A9l111)衬底得到的单层硅烯薄膜的STM形貌图

矿烯的商分开STM形貌图

实验证实了硅烯的存在，同时分析了银衬底上外延生长硅烯的各种复杂的情况，该实验为更进一步研究硅烯提供了坚实的实验基础和理论基础。

硅烯在Ir (11)衬底表面的合成方法：

用外延法在Ir （11）表面生长了硅烯。在超真空2 x10-10 mbar ( mbar= 100Pa)条件下先在Ir（11）衬底进行周期性溅射和退火，使低能电子衍射LEED) 图样中出现明显的Ir （x1）的衍射斑点，在STM的图像中观察到清晰的表面阶层。然后在Ir (11)衬底上室温超真空条件下沉积硅，经670 K下退火30 min， 得到的硅烯，如图所示。

在Ir 11)衬底上外延生长出的硅烯薄膜

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