中文名称：6英寸氧化硅片

英文名称：6-inch Silicon Wafer with Silicon Dioxide Layer

结构与制备工艺

6英寸氧化硅片以单晶硅为基底，通过热氧化或化学气相沉积（CVD）技术在表面生长一层均匀的二氧化硅（SiO₂）薄膜。热氧化法需在高温（900-1200℃）下通入氧气或水蒸气，使硅表面氧化生成SiO₂，薄膜厚度可通过氧化时间精确控制（通常为50 nm至15 μm）；CVD法则利用硅烷（SiH₄）与氧气在较低温度下反应，生成致密氧化层，适用于对薄膜均匀性要求极高的场景。

物理与化学性质

硅片直径为150 mm，厚度约500-700 μm，表面氧化层具有高绝缘性（电阻率＞10¹⁶ Ω·cm）与化学稳定性，可耐受多数酸碱腐蚀（氢氟酸除外）。其热膨胀系数与硅基底匹配，在高温加工过程中不易开裂。此外，氧化层表面平整度极高（粗糙度＜0.5 nm），为后续光刻、蚀刻等微纳加工提供了理想基础。

应用领域与市场

6英寸氧化硅片是半导体、微电子及光电子领域的核心基础材料，广泛应用于集成电路制造、MEMS传感器、功率器件及太阳能电池等领域。例如，在CMOS工艺中，氧化层作为栅极介质层，直接决定器件的开关速度与功耗；在MEMS加速度计中，其高机械强度与低应力特性可提升传感器灵敏度与可靠性。目前，全球6英寸硅片市场主要由日本信越、德国世创等企业主导，国内企业正通过技术升级逐步扩大市场份额。

存储与加工注意事项

硅片需保存于洁净室环境中，避免灰尘或指纹污染表面氧化层。加工前需通过RCA清洗（标准清洁工艺）去除有机物与金属杂质，确保表面清洁度。切割与研磨过程中需使用金刚石工具，以减少边缘损伤；薄膜沉积或光刻时，需严格控制工艺参数（如温度、气压），防止氧化层剥落或厚度不均。

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供应商：西安齐岳生物科技有限公司

公司简介：

西安齐岳生物科技有限公司深耕无机纳米材料领域，精心打造多元化产品矩阵。核心产品包括：高分散性金/银纳米线、超均匀球形二氧化硅纳米颗粒、纳米氧化铟、生物相容性四氧化三铁磁性纳米粒子、荧光量子点（CdSe/ZnS、CdTe等）、多孔金属有机框架（MOF）纳米材料，以及表面功能化修饰的纳米载体（如叶酸/生物素偶联纳米颗粒、多刺激响应型智能纳米胶囊）。产品粒径精准可控（5-2000纳米），支持定制化开发。

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