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CVD石英基底石墨烯膜(圆形基底),CAS:7440-44-0,CVD Graphene on Quartz Substrate
发布时间:2026-01-08     作者:YFF   分享到:

中文名称:CVD石英基底石墨烯膜(圆形)
英文名称:CVD Graphene on Quartz Substrate (Circular)

基底特性
采用高纯度熔融石英(SiO₂含量>99.99%)作为基底,具有优异的化学稳定性与热稳定性(耐温>1000℃),适用于高温实验环境。圆形设计(直径通常为1-2英寸)与晶圆加工设备兼容,便于集成至半导体产线,支持光刻、蚀刻等微纳加工步骤。

光学性能
石英基底在可见光至近红外波段透光率超过99%,结合石墨烯的原子级厚度,复合膜整体透光率达90%以上(550nm波长),满足光学镀膜、光探测器等应用需求。此外,石英的低折射率(约1.46)与石墨烯的高折射率(约2.6-3.0)形成对比,可用于设计光学谐振腔结构。

电学特性
通过CVD工艺生长的石墨烯具有高载流子迁移率(>4000 cm²/V·s)与低方阻(单层约300 Ω/□),与石英基底结合后,接触电阻低于100 Ω·μm,适合高频电子器件开发。在低温环境下(<10 K),可观察到量子霍尔效应等拓扑物性,为凝聚态物理研究提供理想平台。

应用场景
主要用于高性能光电器件,如石墨烯热电子发光阵列、扭转双层石墨烯集成光探测器;在量子计算领域,作为超导量子比特的基底材料,利用石英的低介电损耗特性减少能量耗散;此外,其原子级平整表面适用于高分辨冷冻电镜(cryo-EM)载网,实现小蛋白结构解析。

CVD石英基底石墨烯膜(圆形基底)

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