中文名称：化学气相沉积氧化硅基底石墨烯膜（4英寸晶圆）
英文名称：CVD Graphene Film on SiO₂ Substrate (4-inch Wafer)

制备工艺与结构特性

该材料通过CVD技术在氧化硅（SiO₂）晶圆表面生长单层或多层石墨烯，核心步骤包括铜箔催化生长、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）辅助转移及氧化硅基底键合。4英寸晶圆尺寸符合半导体行业标准，便于与现有光刻、蚀刻工艺兼容。单层石墨烯覆盖率可达97%以上，层数可精准控制为1-8层，满足从基础研究到器件集成的多样化需求。

性能优势与应用场景

氧化硅基底的高平整度（粗糙度<0.2 nm）与高绝缘性（介电常数~3.9）显著提升了石墨烯的载流子迁移率（单层可达15,000 cm²/V·s）并降低了接触电阻。该材料在高频晶体管、光探测器及二维材料异质结研究中表现突出，例如用于构建石墨烯/二硫化钼（MoS₂）垂直堆叠器件，实现光响应速度与灵敏度的同步提升。其透光率（>97%）亦使其成为透明导电电极的候选材料。

技术参数与定制服务

微晶科技等供应商提供A级（单层覆盖率≥97%）与B级（覆盖率≥85%）产品，方阻范围300-1500 Ω/□，支持2-6英寸晶圆定制。部分产品附带原始拉曼光谱数据，便于用户验证石墨烯的层数与缺陷密度。西安齐岳生物等还提供掺杂改性服务，通过氮、硼等元素掺杂调控石墨烯的电导率与载流子类型。

行业案例与市场动态

中科院团队曾利用4英寸氧化硅基底石墨烯晶圆制备出截止频率达100 GHz的射频晶体管，验证了其在5G通信领域的潜力。目前，该材料已广泛应用于高校微纳电子实验室及半导体企业研发中心，成为研究石墨烯本征电学性质与器件集成的标准平台。随着晶圆级转移技术的成熟，其成本较早期下降约40%，推动规模化应用进程。

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供应商：西安齐岳生物科技有限公司

公司简介：

西安齐岳生物科技有限公司深耕无机纳米材料领域，精心打造多元化产品矩阵。核心产品包括：高分散性金/银纳米线、超均匀球形二氧化硅纳米颗粒、纳米氧化铟、生物相容性四氧化三铁磁性纳米粒子、荧光量子点（CdSe/ZnS、CdTe等）、多孔金属有机框架（MOF）纳米材料，以及表面功能化修饰的纳米载体（如叶酸/生物素偶联纳米颗粒、多刺激响应型智能纳米胶囊）。产品粒径精准可控（5-2000纳米），支持定制化开发。

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