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一步转移氮化硼薄膜,CAS:7440-42-8,One-Step Transferred Boron Nitride Film
发布时间:2026-01-08     作者:YFF   分享到:

中文名称:一步转移氮化硼薄膜
英文名称:One-Step Transferred Boron Nitride Film

制备工艺:
一步转移氮化硼薄膜采用化学气相沉积(CVD)法在金属基底(如铜、镍)上生长高质量氮化硼(BN)薄膜,通过聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为支撑层实现无损转移。该方法将生长后的氮化硼/PMMA复合膜直接转移至目标基底(如SiO₂/Si、玻璃、PET),经低温烘干和丙酮浸泡去除PMMA后,获得完整氮化硼薄膜。此工艺简化传统多步转移流程,降低破损风险,适用于柔性电子器件和高温传感器领域。

材料特性:
氮化硼薄膜具有类石墨烯的六方晶格结构,呈现高介电性、高温热稳定性(空气中稳定至1000℃)及抗氧化性。其平面内机械强度与热导率接近石墨烯,化学稳定性优于后者。单层氮化硼薄膜厚度约0.33纳米,带隙为5.97 eV,可作为金属绝缘金属结构的超薄间隔层或电子隧道阻挡层,适用于纳米电容器和场效应晶体管。

应用领域:
在电子器件中,氮化硼薄膜用作二维材料的绝缘衬底,减少器件漏电流;在柔性电容器中,其高介电常数提升能量密度;在发光器件中,作为透明封装层保护发光层。此外,氮化硼薄膜还可用于高温传感器,检测丙酮、乙醇等气体,或作为中子辐射屏蔽材料。

市场现状:
国内供应商提供1-3英寸铜基氮化硼薄膜,覆盖率达90%-95%,晶粒尺寸>4微米,保质期6-12个月。部分企业支持定制尺寸和层数,价格区间为3500-4200元/片,满足科研与小批量生产需求。

一步转移氮化硼薄膜

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