中文名称：化学气相沉积玻璃基底石墨烯膜，CVD玻璃基底石墨烯膜

CAS：7440-44-0

英文名称：CVD Graphene Film on Glass Substrate

结构特性
通过化学气相沉积法在玻璃表面生长的单层石墨烯薄膜，晶粒尺寸达10-20 μm，覆盖度超过95%。薄膜与基底间通过范德华力结合，界面结合强度达15 MPa。透光率在550nm波长处可达97.3%，表面电阻低至300 Ω/□，方阻均匀性±5%。

物理化学性质
具有优异的机械柔韧性，可承受180°弯曲测试10^4次而无明显性能衰减。在85℃/85%RH条件下老化1000小时后，透光率变化<0.5%，表面电阻增加<10%。化学稳定性优异，在pH 2-12溶液中浸泡72小时无显著变化。

应用领域
作为透明导电电极，可替代氧化铟锡（ITO）用于触摸屏、OLED显示和太阳能电池领域。在柔性电子器件中，用作应变传感器的敏感层时，灵敏度因子（GF）可达200。在光电器件中，作为窗口层可将量子效率提高15-20%。

制备工艺
采用铜催化CVD法，以甲烷为碳源，在1000℃条件下生长30分钟形成铜基石墨烯。通过聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）支撑转移法，将石墨烯转移至玻璃基底。关键工艺参数包括：铜箔预处理温度400℃、甲烷流量5 sccm、氢气流量20 sccm、降温速率5℃/min。转移后通过氧等离子体刻蚀去除PMMA残留。

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供应商：西安齐岳生物科技有限公司

公司简介：

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