中文名称：化学气相沉积氧化硅基底石墨烯（4英寸晶圆）
英文名称：CVD Graphene on SiO₂ Substrate (4-inch Wafer)

1. 晶圆级制备与界面控制

该材料以4英寸单晶硅为衬底，表面生长300nm热氧化硅层作为绝缘介质，通过CVD技术外延生长单层或多层石墨烯。氧化硅层与石墨烯的界面态密度<10¹¹ cm⁻²eV⁻¹，减少载流子散射，提升器件迁移率。晶圆级工艺支持光刻、蚀刻等微纳加工，实现石墨烯场效应晶体管（GFET）、环形谐振器等复杂结构的批量制备。

2. 电学与光学性能

单层石墨烯方阻约300-600Ω/□，载流子迁移率>15,000 cm²/(V·s)，适用于高频电子器件；多层结构（6-8层）方阻可降至100-300Ω/□，满足透明导电电极需求。氧化硅基底在可见光波段透光率>90%，且与石墨烯的折射率匹配度高，减少光反射损失，提升光电转换效率。晶圆表面粗糙度<0.2nm，确保石墨烯层均匀覆盖，降低器件漏电流。

3. 半导体与光电子应用

在半导体领域，该材料用于制造高电子迁移率晶体管（HEMT）、太赫兹探测器，其高载流子浓度（>10¹³ cm⁻²）支持高速信号处理；在光电子领域，作为非线性光学材料，用于超快激光调制、光频率转换；在量子计算中，其低噪声特性支持单电子自旋量子比特的操控。此外，氧化硅层可作为栅介质，简化GFET的制造流程，降低工艺成本。

4. 工艺兼容性与存储要求

材料与标准CMOS工艺兼容，支持后道集成（BEOL），无需额外钝化层；存储时需保持真空或惰性气体环境，防止氧化硅层吸湿或石墨烯氧化。使用前需通过X射线光电子能谱（XPS）检测界面氧化状态，确保氧含量<5%。长期存储温度控制在-40℃至25℃，避免热应力导致晶圆翘曲或石墨烯裂纹。

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供应商：西安齐岳生物科技有限公司

公司简介：

西安齐岳生物科技有限公司深耕无机纳米材料领域，精心打造多元化产品矩阵。核心产品包括：高分散性金/银纳米线、超均匀球形二氧化硅纳米颗粒、纳米氧化铟、生物相容性四氧化三铁磁性纳米粒子、荧光量子点（CdSe/ZnS、CdTe等）、多孔金属有机框架（MOF）纳米材料，以及表面功能化修饰的纳米载体（如叶酸/生物素偶联纳米颗粒、多刺激响应型智能纳米胶囊）。产品粒径精准可控（5-2000纳米），支持定制化开发。

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