中文名称:CVD蓝宝石基底单层二硒化钼
英文名称:Monolayer Molybdenum Diselenide on Sapphire Substrate
材料特性
该材料以蓝宝石为基底,表面覆盖单层二硒化钼(MoSe₂),纯度达99%。MoSe₂属于过渡金属硫族化合物(TMDs),具有间接带隙半导体特性(带隙约1.1eV),与MoS₂相比,其更强的自旋轨道耦合效应及更高的载流子迁移率使其在量子计算与自旋电子学领域更具潜力。薄膜厚度约0.7nm,表面粗糙度低,与基底结合力强。
制备工艺
采用CVD法,在高温下将硒粉与钼源(如三氧化钼)共蒸镀至蓝宝石基底表面,通过调控反应温度(约750-850℃)、气体比例(H₂Se/Ar)及沉积速率,实现单层MoSe₂的原子级生长。部分工艺引入氢气作为还原剂,以减少氧化杂质生成。制备后需在惰性气体环境中封装,防止与水汽、氧气反应。
应用领域
主要用于前沿科学研究与新型器件探索。在光电领域,可作为近红外光探测器、激光器的核心材料,利用其宽光谱响应特性;在电子领域,可用于构建高性能晶体管、存储器;在量子领域,作为研究谷电子学、拓扑物态的模型体系。例如,科研人员曾利用该材料开发室温下稳定工作的谷阀器件,实现谷自由度的电控调制。

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供应商:西安齐岳生物科技有限公司
公司简介:
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