中文名称：CVD铜基石墨烯薄膜
英文名称：CVD Graphene on Copper Foil (3cm×3cm)

生长机制与形貌特征

该薄膜以20微米厚铜箔为基底，通过低压CVD工艺在1000℃高温下生长。碳源气体（如甲烷）在铜表面裂解，碳原子溶解并扩散至铜晶界处析出，形成连续单层石墨烯。薄膜覆盖度达95%以上，表面呈现均匀的六边形畴区，畴区尺寸约10-50微米，晶界密度低于0.1 μm⁻¹。

电学与热学性能

单层薄膜方阻约300 Ω/sq，载流子迁移率达2000 cm²/(V·s)，室温下量子霍尔效应可观测至填充因子ν=±2。热导率约5000 W/(m·K)，是铜的10倍以上。其导电性对缺陷密度敏感，晶界处散射效应会导致迁移率下降约30%。

器件集成与工艺适配性

该材料可直接用于制备场效应晶体管、太赫兹探测器等器件。例如，在射频器件中，其高频特性（截止频率>100 GHz）优于传统金属电极。转移工艺方面，可采用聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）辅助湿法刻蚀，将石墨烯转移至二氧化硅或柔性基底，转移后薄膜完整性保持率超过90%。

质量控制与失效分析

产品需通过拉曼光谱（D峰与G峰强度比<0.1）、原子力显微镜（表面粗糙度<0.5 nm）及四探针测试（方阻偏差<10%）三重质检。常见失效模式包括铜基底氧化导致的薄膜褶皱、生长温度波动引起的双层区域形成，以及转移过程中PMMA残留导致的接触电阻增加。

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供应商：西安齐岳生物科技有限公司

公司简介：

西安齐岳生物科技有限公司深耕无机纳米材料领域，精心打造多元化产品矩阵。核心产品包括：高分散性金/银纳米线、超均匀球形二氧化硅纳米颗粒、纳米氧化铟、生物相容性四氧化三铁磁性纳米粒子、荧光量子点（CdSe/ZnS、CdTe等）、多孔金属有机框架（MOF）纳米材料，以及表面功能化修饰的纳米载体（如叶酸/生物素偶联纳米颗粒、多刺激响应型智能纳米胶囊）。产品粒径精准可控（5-2000纳米），支持定制化开发。

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