中文名称：CVD氧化硅/硅基底单层二硫化钼连续薄膜
英文名称：Monolayer MoS₂ Continuous Film on SiO₂/Si

合成路径与结构表征

该薄膜通过CVD工艺在300纳米二氧化硅/硅基底上生长，以硫粉和三氧化钼为前驱体，在750℃下反应形成单层二硫化钼。薄膜覆盖度超过98%，表面呈现连续三角形畴区，畴区尺寸约5-20微米。X射线光电子能谱（XPS）显示硫与钼原子比为2:1，拉曼光谱中E²₁g峰（383 cm⁻¹）与A₁g峰（408 cm⁻¹）强度比约0.6，确认单层结构。

光学与电学特性

单层薄膜在550nm波长下透光率达95%，直接带隙约1.8 eV，光致发光量子产率约1%。电导率约10⁻⁵ S/cm，载流子迁移率约200 cm²/(V·s)，开关比达10⁸，适用于低功耗逻辑器件。其光电响应度在405nm激光照射下可达0.1 A/W，响应时间小于10毫秒。

传感与催化应用

作为气体传感器，该薄膜对NO₂的检测限低至1 ppb，灵敏度达30%/ppm。在电催化领域，其边缘活性位点可驱动氢析出反应（HER），过电位仅150 mV（10 mA/cm²电流密度）。此外，薄膜可用于制备柔性光电探测器，在弯曲半径5毫米条件下性能衰减小于5%。

稳定性与封装技术

薄膜在空气中可稳定存在30天以上，但在湿度>80%环境中易发生氧化，导致导电性下降。封装工艺可采用原子层沉积（ALD）生长20纳米氧化铝保护层，使器件寿命延长至6个月以上。操作时需避免机械刮擦，建议使用硅探针进行电学测试。

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供应商：西安齐岳生物科技有限公司

公司简介：

西安齐岳生物科技有限公司深耕无机纳米材料领域，精心打造多元化产品矩阵。核心产品包括：高分散性金/银纳米线、超均匀球形二氧化硅纳米颗粒、纳米氧化铟、生物相容性四氧化三铁磁性纳米粒子、荧光量子点（CdSe/ZnS、CdTe等）、多孔金属有机框架（MOF）纳米材料，以及表面功能化修饰的纳米载体（如叶酸/生物素偶联纳米颗粒、多刺激响应型智能纳米胶囊）。产品粒径精准可控（5-2000纳米），支持定制化开发。

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