中文名称：碳化硅基底单层石墨烯（外延生长）
英文名称：Epitaxially Grown Monolayer Graphene on SiC Substrate

制备工艺
碳化硅基底单层石墨烯通过高温热处理碳化硅（SiC）晶片制备。在真空或惰性氛围中，SiC表面硅原子部分升华，剩余碳原子重组形成连续单层石墨烯薄膜。此方法直接在SiC基底上生长，无需转移步骤，避免了机械剥离或化学气相沉积（CVD）中可能引入的缺陷，确保了晶格结构的完整性和低缺陷密度。

结构特性
该材料为原子级厚度（约0.34 nm），表面平整度高，单层覆盖率可达92%以上，石墨烯覆盖率接近100%。其晶格取向与SiC基底匹配，形成均匀的二维碳结构。基底类型通常为4H-SiC，厚度约350 μm，电阻率约4.4×10⁹ Ω·cm，为石墨烯提供了稳定的支撑平台。

性能优势
碳化硅基底单层石墨烯兼具高导电性和高载流子迁移率，电子迁移率可达1500-2200 cm²/V·s，适合高速电子器件应用。其与SiC基底的强相互作用可轻微调制能带结构，同时保持π能带的线性色散关系。此外，材料耐高温、抗机械应力，且化学稳定性高，适用于复杂环境。

应用领域
该材料在高性能电子器件中表现突出，可用于制备高频场效应晶体管、射频器件及低噪声放大器。在量子电子学领域，其低缺陷特性使其成为研究量子霍尔效应和电子量子干涉的理想平台。光电子学方面，石墨烯的宽光谱吸收特性可用于光探测器、光电调制器及光学传感器开发。

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供应商：西安齐岳生物科技有限公司

公司简介：

西安齐岳生物科技有限公司深耕无机纳米材料领域，精心打造多元化产品矩阵。核心产品包括：高分散性金/银纳米线、超均匀球形二氧化硅纳米颗粒、纳米氧化铟、生物相容性四氧化三铁磁性纳米粒子、荧光量子点（CdSe/ZnS、CdTe等）、多孔金属有机框架（MOF）纳米材料，以及表面功能化修饰的纳米载体（如叶酸/生物素偶联纳米颗粒、多刺激响应型智能纳米胶囊）。产品粒径精准可控（5-2000纳米），支持定制化开发。

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