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铜基六角氮化硼多层薄膜,7440-42-8,Multilayer Hexagonal Boron Nitride (h-BN) Film on Copper Substrate
发布时间:2026-01-13     作者:YFF   分享到:

中文名称:铜基六角氮化硼多层薄膜
英文名称:Multilayer Hexagonal Boron Nitride (h-BN) Film on Copper Substrate

结构特性

铜基多层h-BN薄膜由数层至数十层h-BN原子层堆叠而成,层间通过范德华力结合,单层厚度约0.33纳米,总厚度范围从数纳米至数十纳米。薄膜表面平整度高,覆盖均匀性达90%-95%,透射电子显微镜(TEM)观察显示其具有完美的六方晶格结构。铜基底通过催化作用促进多层生长,工艺参数(如温度、前驱体浓度)可调控层数与结晶度。

物理化学性能

多层h-BN继承了单层材料的宽禁带(5.5-6.0电子伏特)、高电绝缘性及高热稳定性(空气中耐受900℃),同时因层数增加,热导率显著提升,可达数百瓦每米开尔文。其化学惰性优异,对酸、碱及有机溶剂稳定,表面无活性位点,可有效隔离环境腐蚀。此外,多层结构增强了机械强度,适用于需要高耐久性的应用场景。

应用领域

在电子器件中,多层h-BN作为隔离层或保护膜,可防止金属基底与活性材料(如石墨烯)发生电化学相互作用,提升器件可靠性。在热管理领域,其高导热性使其成为散热涂层或热界面材料的理想选择,可高效传导热量至散热结构。此外,薄膜可转移至柔性基底,用于制备可穿戴电子设备的耐高温、抗腐蚀封装层。

制备与定制

采用CVD法在铜箔表面生长多层h-BN,通过调整氨硼烷流量、生长时间及温度等参数控制层数。薄膜厚度可定制,平均厚度范围从5纳米至50纳米,满足不同器件需求。生长完成后,薄膜可通过湿法或干法转移至硅、石英、聚合物等基底,支持异质结构集成与柔性器件加工。

铜基六角氮化硼多层薄膜

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