物质名称：GS二氧化硅基底单层氮化硼薄膜，GS Monolayer Boron Nitride Film on SiO₂ Substrate

物质组成与结构

GS二氧化硅基底单层氮化硼薄膜以二氧化硅（SiO₂）为基底，表面覆盖单层六方氮化硼（h-BN）。六方氮化硼由硼（B）和氮（N）原子交替排列形成蜂窝状结构，与石墨烯结构相似但为绝缘体。该薄膜通过化学气相沉积（CVD）等工艺在铜箔等过渡基底上生长后转移至SiO₂表面，形成均匀单层结构。

核心特性

单层h-BN具有优异的热导率（约300 W/m·K）和化学稳定性，可在高温、强酸强碱环境中保持结构完整。其绝缘性（带隙约5.9 eV）与SiO₂基底形成互补，可有效隔离电子器件中的导电层。此外，单层结构使其表面原子活性高，易于与其他材料通过范德华力或化学键结合。

应用领域

在半导体领域，该薄膜可作为二维电子器件的衬底或封装层，提升器件散热性能并降低漏电流。在光电子领域，其高透光率（可见光波段透光率>95%）和低介电常数（约4.0）使其适用于透明导电薄膜和光波导器件。在传感器领域，单层h-BN对气体分子吸附敏感，可用于检测NO₂、NH₃等有害气体。

制备工艺

制备过程包括过渡基底预处理、h-BN单层生长和转移三个步骤。以铜箔为例，首先通过电化学抛光去除表面氧化层，随后在高温下通入硼烷和氨气进行CVD生长，形成单层h-BN。最后通过聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）辅助湿法转移，将薄膜剥离并覆盖于SiO₂基底表面，经热处理去除残留溶剂后完成制备。

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供应商：西安齐岳生物科技有限公司

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