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CdTe碲化镉量子点,Cadmium Telluride (CdTe) Quantum Dots的制备工艺
发布时间:2026-02-04     作者:YFF   分享到:

中文名称:碲化镉量子点

英文名称:Cadmium Telluride (CdTe) Quantum Dots

基础特性

CdTe属于II-VI族半导体材料,其量子点具有直接带隙结构(1.45eV),光吸收系数高,荧光发射波长可通过尺寸调控覆盖450-750nm范围。纳米晶尺寸小于激子波尔半径(约6nm)时,表现出明显的量子限域效应,导致发射光谱蓝移。

制备工艺

常见合成方法包括有机金属法与水相合成法。有机金属法以二甲基镉与双(三甲基硅基)碲为前驱体,在高温有机溶剂中热解生成量子点;水相合成法则采用醋酸镉与碲氢化钠为原料,在巯基配体存在下通过pH调控实现纳米晶生长。后者因成本低、环境友好性更受科研青睐。

功能扩展

通过表面修饰可赋予CdTe量子点新特性:巯基聚乙二醇修饰可提升生物相容性,用于活体成像;氨基化修饰可与生物分子(如抗体、DNA)共价结合,构建靶向探针;掺杂锰离子(Mn²⁺)可引入磷光发射,延长荧光寿命至毫秒级。

应用限制

镉元素毒性限制了其在临床领域的直接应用,需通过表面包覆无机壳层(如SiO₂、ZnS)或开发无镉替代材料(如InP/ZnS)降低生物风险。长期光照易导致光腐蚀,需优化壳层结构或添加抗氧化剂提升稳定性。

CdTe碲化镉量子点

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