近红外二区量子点（PbSe）半导体量子点是一种准零维的纳米材料,当颗粒尺寸进入纳米量级时,尺寸限域将引起尺寸效应、量子限域效应、宏观量子隧道效应和表面效应,从而派生出纳米体系不同于宏观体系和微观体系的低维物性,展现出许多不同于宏观体材料的物理化学性质。

近红外二区量子点（PbS）量子点具有波尔半径大(18nm),禁带宽度窄(0.41eV),能带结构对称,良好的光电导性质,较大的介电常数,吸收谱很宽且吸收系数高等优点,。我们知道,PbS量子点的光学性能主要受量子点的尺寸影响,可以通过控制合成量子点尺寸的大小来调节吸收光谱的范围,因此,如何实现PbS量子点尺寸的调控就显得尤为重要。在传统的量子点制作方法中,量子点尺寸的大小通常可以通过合成温度、反应条件等参量的选取来控制,实验的可重复性较差。

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