光电材料|多孔硅光电材料的电化学合成ZnO纳米花和纳
发布时间:2021-12-16     作者:光电材料   分享到:
采用电沉积方法在多孔硅(PS)光电材料上制备了排列良好的ZnO纳米花和纳米片。
通过循环伏安法(CV)、电流计I-t (I-t)和开路电位法对沉积产物进行了表征。
x射线衍射(XRD)分析表明,PS光电材料具有较强的择优取向(1 00),扫描电镜(SEM)观察表明,该镀层由直径约100 nm的纳米花和纳米片组成,在纳米器件和纳米技术中具有潜在的应用前景。
因此,根据开路电位(OCP)的研究,在PS光电材料上生长的ZnO比硅晶片具有更大的光电效应,可以作为光电材料。
利用紫外可见分光光度计对样品进行了光学带隙测量,得到了3.35 eV的带隙。
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