二维过渡金属二卤族化合物（2D TMDCs）因其独特的性质被认为是下一代纳米电子和光电材料。

然而，报道的二维TMDCs的光电性能差异很大，导致光电性能变化的原因尚不清楚。

本文研究了基于cvd生长的WS2光电探测器光电性能变化的机理。

结果表明，采用CVD法可以在蓝宝石衬底上生长尺寸为100µm的三角形单层WS2。

此外，单层WS2可以通过聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚二甲基硅氧烷（PDMS）作为中间体从蓝宝石衬底转移到Si/SiO2衬底上。

氧掺杂和硫化对cvd生长的WS2的光响应性有**影响。

cvd生长的2D WS2的光响应性不仅取决于氧掺杂浓度，还取决于光波长。

在本实验条件下，由cvd培养的WS2含有氧气。

硫化可以使cvd生长的WS2的掺杂氧浓度降低，而掺杂氧可以使其增加。

报道的基于cvd生长的WS2的光电探测器光电性能的差异是由掺杂浓度的差异造成的。

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