采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在SiO2（110）衬底上制备了光电性能可调的光电材料三元（In1-xAlx）2O3 （IAO）薄膜。

研究了不同In-Al含量x [Al/（In+Al）原子比]对光电材料IAO薄膜结构、形貌和光电性能的影响。

XRD分析表明，随着In含量的降低，薄膜由**的立方In2O3结构转变为非晶相。

所有光电材料IAO薄膜均表现出**的光学性能，在可见范围内的平均透射率均超过84％。

当x值为0 ~ 0.9时，薄膜的光学带隙可从3.71 eV调制到5.29 eV。随着In含量的降低，霍尔迁移率和载流子浓度下降，电阻率增加。

结果表明，通过改变in - al组分，可以**地调节IAO薄膜的性能，从而可应用于短波长光电器件的制备。

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