结合理论计算和实验研究了光电材料MSe2/SnO2 （M = Mo,W）纳米复合材料的光电催化性能。采用密度泛函理论（DFT）计算研究了复合材料的电子结构。

与SnO2材料（1.070 eV）相比，光电材料MSe2/SnO2 （M = Mo,W）纳米复合材料的带隙值分别**降低到0.133和0.008 eV。

居群分析表明，上MSe2 （M = Mo,W）与下层SnO2之间的电荷转移可以提高SnO2材料的光电催化性能。

因此，采用水热法合成了MSe2/SnO2 （M = Mo,W）纳米复合光电材料，并对其进行了XRD表征。采用氟掺杂锡氧化物（FTO）导电玻璃电沉积制备相应电极，测试其光电催化性能。

实验结果表明，MSe2/SnO2 （M = Mo,W）纳米复合材料的光电流分别为4.8和3.0 μA/cm2，电化学阻抗均小于SnO2材料。因此，MSe2/SnO2 （M = Mo,W）纳米复合材料是很好的光电催化材料。

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