光电材料铟锡氧化物（ITO）薄膜的载流子浓度可以通过添加锡掺杂剂提供额外的导电电子来提高。

然而，晶界周围丰富的缺陷和杂质导致强载流子散射。

本工作对磁控溅射制备的ITO薄膜进行超临界co2 （SCCO2）流体处理，采用不同浓度的InCl3溶液，在晶界引入In3+离子，以调节晶界缺陷和杂质。

经过SCCO2流体处理后，光电材料ITO薄膜的光电性能**提高，x射线光电子能谱和正电子湮灭寿命谱的实验结果解释了SCCO2对ITO薄膜微观结构的影响。

SCCO2流体处理后，脱水作用使晶界附近的悬垂键钝化，同时铟离子向晶界扩散，形成类ito晶格结构。

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