科研人员实现了使用咔唑基二氰基苯 (CDCB) 材料的设计限制，这是一个由两部分组成的系统，

即咔唑作为供体单元和二氰基苯作为受体单元，两者相互扭曲，导致 HOMO 和 LUMO 局部化分别在每个部分上观察到小的 Δ E ST。TADF材料包括2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph，通过降低驱动电压来提高设备的功率效率。

因此，Seino等人。能够利用4CzIPN创建一个设计有载流子和激子限制以及来自激基复合物的能量转移的器件，以创建具有超过 100 lm W -1的高功率效率的绿色 OLED 。这种性能可与含有铱基发光物质的 PHOLED 相媲美。

Masui在2CzPN 中显示出 S 1和 T 1 –T n吸收之间的显着光谱重叠，这在显着单线态激子密度的情况下解释了基于 STA 和 TTA 机制的激子猝灭机制负责显着的外部量子效率 ( η EQE ) 滚降行为。

Kretzschmar等人。从流行的 TADF 荧光团4CzIPN和4CzTPN开始，衍生出单和二卤代衍生物，结果是低单线态 - 三线态间隙为 ~0.04 eV（实验确定），荧光寿命与由于重-卤素的原子效应。未报告设备数据。

在 TADF 设备中观察到的运行稳定性降低可能是由于长寿命的三重态能量物种导致了不需要的化学反应。引入辅助掺杂剂的大ķ ISC〜10 6，4CzIPN-ME，以及一个发射物质2,8-二[吨丁基] -5,11-二[4-（吨-丁基)苯基]-6,12-二苯基萘 (TBRb) 由于在高度优化的浓度下单线态激发的4CzIPN-Me和 TBRb之间的 Förster 能量转移，因此可TTA 。97包含辅助掺杂剂的器件显示出更长的工作寿命（亮度下降到初始亮度的 0.5 的时间）。

传统基于 TBRb 的 OLED 器件的寿命为 5 小时，基于4CzIPN-Me的 TADF 器件为 1472 小时，含有辅助掺杂剂的 TADF 器件（称为 TAF 器件）为 3775 小时。因此可以使用具有更短三重态寿命的辅助荧光团来实现装置稳定性。

表 2 聚合物和树枝状咔唑基 TADF 发射体

参考	发射器	设备几何	开启 (V)	L cd m -2	CE (cd A -1 )	PE (lm W -1 )	情商 (%)	CIE ( x , y )	HOMO (eV)	LUMO (eV)	(nm)	电磁 (nm) (QY)	电磁 (nm) (TF)	E S 1 (eV)	ë Ť 1（eV）的	Δ E S–T (eV)
L：亮度；CE：电流效率；PE：电源效率；EQE：外量子效率；TmPyPB : 3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)-苯基][1,1':3',1''-三联苯]-3,3''-二基]双吡啶；TPBI : 1,3,5-三( N-苯基苯并咪唑-2-基)苯；Ca钙; Cs 2 CO 3碳酸铯；Liq 8-羟基喹啉锂。a 在亮度为 1 cd m -2 时。b 大值。c CV 实验。d 从 HOMO 能级和吸收边估计。e 在甲苯中测量。f 在空气中测量。g 薄膜在空气中的 PES。h 根据氧化峰的起始电压计算，公式为 -( V onset + 4.78) eV。i 薄膜。j 在 DCM 中测量。
聚合物 TADF 发射器
朱等人。146	政协	ITO/PEDOT:PSS (50 nm)/PAPTC 或 PAPCC (40 nm)/TmPyPB (50 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm)	3.0一	554 b	3.6	3.67	1.34	0.25, 0.47	-5.38 ç	−2.57天	—	472 e (9 f )	487 (8)	—	—	—
	PAPTC		2.6一	10 251 b	41.8	37.1	12.63	0.30, 0.59	-5.33 ç	−2.77天	—	510 e (22 f )	510 (28)	—	—	—
李等人。6	pCzBP	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/10 wt% pCzBP:TCTA:TAPC 混合物 (40 nm)/TmPyPB (50 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (80 nm)	6	5100 b	24.9	9	8.10	0.28, 0.43	−5.41克	−2.76天	307, 361	472 (28)	508 (23)	—	2.69	0.18
树枝状 TADF 发射器
阿尔布雷希特等人。149	G2TAZ	ITO/PEDOT:PSS (30 nm)/GnTAZ (35 nm)/TPBI (40 nm)/Ca (10 nm)/Al	3.3	—	—	—	2.40	0.251, 0.493	−5.76克	−3.01天	—	—	—	2.77	2.74	0.03
	G3TAZ		3.5	—	—	—	3.40	0.266, 0.485	−5.72	−2.97	—	—	—	2.79	2.74	0.06
	G4TAZ	与上述相同的设备几何结构	3.5	—	—	—	1.50	0.232, 0.368	−5.68	−2.8	—	—	—	2.86	2.79	0.06
李等人。147	CDE1	ITO/PEDOT:PSS (30 nm)/CDE1（器件 A1–A4）或 CDE2（器件 B1–B4）(70 nm)/TPBi (40 nm)/Liq (2 nm)/Al	4.8	>10 000	—	—	12乙	0.38, 0.56	−5.12小时	−2.54天	289, 299, 349 j	—	520 (77)	—	—	0.11
	CDE2		7.7	>10 000	—	—	5.2乙	0.32, 0.51	−5.25小时	−2.69天	289, 298, 348 j	—	499 (75)	—	—	0.15
罗等人。148	CzDMAC-DPS	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/EML (40 nm)/TPBI (40 nm)/Liq (1.6 nm)/Al (100 nm)	4.0	—	30.6焦耳	24乙	12.2乙	0.22, 0.44	−5.24 i	−2.31 b	240, 299, 349	498	492	2.95	2.86	0.09
	DCzDMAC-DPS		5.4	—	3.8焦耳	2乙	2.2乙	0.18, 0.27	−5.18	−2.09 b	240, 299, 349	484	464	3.07	2.87	0.2
孙等人。150	TA-Cz	ITO/PEDOT:PSS/TA-Cz 或 TA-3Cz/TPBI/Cs 2 CO 3 /Al	2.6一	25 085 b	18.2 b	14.3 b	5.5羽	0.41, 0.54	-4.95 ç	-2.31 ç	238, 264, 295, 347, 408 j	591 Ĵ	56	2.49电子	2.33电子	0.17
	TA-3Cz	与上述相同的设备几何结构	2.4一	23 145羽	39.0 b	40.8 b	11.8 b	0.39, 0.56	-4.92 ç	-2.28 ç	238, 263, 295, 341, 408 j	541 Ĵ	71	2.5电子	2.29电子	0.2

表3 用于TADF的咔唑基主体材料

参考	化合物	热重（℃）	Ť 克（℃）	HOMO (eV)	LUMO (eV)	λ (nm)	λ Fl (nm) (QY)	ë Ť 1（eV）的	È 克（eV）的	发射器	设备几何	开启 (V)	CE (cd A -1 )	PE (lm W -1 )	情商 (%)	CIE ( x , y )	L (cd m -2 )
CE：电流效率；PE：电源效率；EQE：外量子效率；L：亮度；TAPC：4,4' - （环己烷-1,1-二基）双（Ñ苯基Np个-tolylaniline）; TCTA：N，N，N-三(4-(9-咔唑基)-苯基)胺；TmPyPB：1,3,5-三（米-吡啶-3-基苯基）苯; α-NPD：4,4'-双[ N- (1-萘基) -N-苯基-氨基]联苯；TSPO1：二苯基氧化膦-4-(三苯基甲硅烷基)苯基；TPBi: 2,2',2''-(1,3,5-苯三基)三[1-苯基-1H-苯并咪唑]；DPAC-TRZ 10-(4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)-9,9-二苯基-9,10-二氢吖啶；MoO 3：三氧化钼；Poly-TriCz：三咔唑聚合物；mCPSOB : 3,5-二(咔唑-9-基)-1-苯基磺酰基苯；HATCN：二吡嗪并[2,3- f :2',3' - h ]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈；NPB：N，N'-双(1-萘基) -N，N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺；DPEPO：双(2-(二苯基膦)苯基)醚氧化物；苯酚：4,7-二苯基-1,10-菲咯啉。2CzPN : 4,5-二(9 H-咔唑-9-基)邻苯二甲腈；4CzIPN : 1,2,3,5-四(咔唑-9-基)-4,6-二氰基苯；CzTPN : 2,5-双(咔唑-9-基)-1,4-二氰基苯；4CzCNPY : 2,3,5,6-四咔唑-4-氰基吡啶；DPAC-TRZ：10-(4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)-9,9-二苯基-9,10-二氢吖啶；DMAC-DPS：双[4-(9,9-二甲基-9,10-二氢吖啶)苯基]砜。一个 Vs。SCE (4.4 eV)。b 薄膜。c ^ 2-MeTHF中在77K d 从吸收边缘。e 大值。F 来自循环伏安法。g 从 HOMO 光隙计算。h 薄膜中的光电子产额光谱。i 磷光从 0-0 跃迁。j 在 1000 cd m -2。k PL 在液氮温度下。l 施加电压为 1 cd m -2。m 在 DCM 中。n 在 CHCl 3 中。o 在 N 2气氛下。p 光电子能谱。q 对比。9,10-二苯基蒽。
李等人。17	邻-CzCN	350–440	94	−5.74 a	−2.16 a	295，328，341 b	403	3.01 ç	3.58天	2CzPN	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/TAPC (20 nm)/TCTA (5 nm)/host:2CzPN (4 wt%, 20 nm)/TmPyPB (40 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 nm) )	5.1	29.23 Ë	18.36 Ë	14.52电子	0.17, 0.23	2746电子
	m- CzCN	350–440	121	−5.62 a	−2.14 a	296，329，344 b	403	2.81 ç	3.48天			4.8	26.37 Ë	16.56电子	14.98 Ë	0.17, 0.26	4992 e
	p- CzCN	350–440	140	−5.59 a	−2.16 a	296，332，343 b	406	2.77 ç	3.43天			3.8	14.41 Ë	11.12电子	8.10电子	0.17, 0.28	7856 Ë
李等人。171	o -CzDPz	333	70	−5.69 f	−2.16克	293、327、340	397	3.02	3.53天	4CzIPN	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/TAPC (20 nm)/主体：5 wt% 4CzIPN (20 nm)/TmPyPB (40 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 nm)	4.8	39.6电子	23.7电子	13.7电子	0.26, 0.54	12 780 e
	m- CzDPz	350	83	−5.63 f	−2.13克	293、326、341	403	2.83	3.5天	4CzIPN		4.5	37.5电子	22.0电子	12.1电子	0.30, 0.57	24 050电子
	3-CzDPz	378	89	−5.61 f	−2.21克	288, 348	380	2.78	3.4天	4CzIPN		3.8	41.1电子	32.2电子	13.3电子	0.31, 0.58	19 890 e
	米CPDPz	434	140	−5.67 f	−2.15克	292、326、340	407	2.76	3.52天	4CzIPN	与上述相同的设备几何结构	4.9	37.9电子	19.8电子	13.1电子	0.22, 0.49	12 130 e
西本等人。20	锆石	474	—	−6.4小时	−2.5克	287, 315	332	3.00我	3.9	CzTPN	ITO/α-NPD (35 nm)/mCP (10 nm)/3 wt%-CzTPN:host (20 nm)/PPT (40 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (80 nm)	4.20	37.2	24.4	15	0.18, 0.45	—
Cho等人。172	数据	—	—	−6.14 f	−3.26 f	236、251、280、291	427	2.71	2.88	4CzIPN	ITO (50 nm)/PEDOT:PSS (60 nm)/TAPC (20 nm)/mCP (10 nm)/DCzDCN:4CzIPN (3%, 25 nm)/TSPO1 (35 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 纳米)	3	—	—	26.7	—	—
盖伊等人。173	微信公众号	—	110	−5.8	−2.5	—	—	3.02 ç	3.3	4CzIPN	ITO/MoO 3 (15 nm)/Poly-TriCz (50 nm)/mCPSOB:4CzIPN (25 nm)/TPBi (60 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm)	4.8焦	81	79	21.5焦耳	—	—
金和李33	微量CP	312	50–60	−6.1	−2.4	—	—	2.9千	3.7	4CzIPN	ITO (50 nm)/PEDOT:PSS (60 nm)/TAPC (20 nm)/mCP (10 nm)/(mCP : BmPyPb 1 : 1):4CzIPN (25 nm)/TSPO1 (35 nm)/LiF (1纳米)/铝 (200 纳米)	—	—	56.6	28.6	—	—
	铅酸铅	—	—	−6.4	−2.7	—	—	2.78 ķ	3.7			—	—	—	—	—	—
赵等人。176	o- mCPBI	400	130	−5.44 f	−1.86克	324, 338	—	3.00	3.58	4CzIPN	ITO/MoO 3 (5 nm)/TAPC (65 nm)/host:guest (15 nm)/TmPyPb (35 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm)	3.4升	60.4电子	42.0电子	18.5焦耳	0.27, 0.58	—
	m- mCPBI	394	124	−5.4 f	−1.84克	324, 338	—	2.80	3.56	—		—	—	—	—	—	—
	p- mCPBI	429	141	−5.44 f	−1.89克	324, 338	—	2.71	3.55	—		—	—	—	—	—	—
班等人。177	TZ-Cz	382	96	−5.2 f	−2.31克	236, 265, 295, 379米	535，米490 b	2.8我	2.89天	自宿主发射器	ITO/PEDOT:PSS (25 nm)/TZ-Cz 或 TZ-3Cz (35 nm)/Cs 2 CO 3 (2 nm)/Al (100 nm)	40.00	20.0电子	—	6.5电子	0.24, 0.51	18 200
	TZ-3Cz	407	128	−5 f	−2.11克	238, 263, 293, 379米	535，米487 b	2.8我	2.89天	自宿主发射器		3.60	30.5电子		10.1电子	0.24, 0.51	22 950
班等人。156	tbCz-SO	380	80	−5.51 f	−2.32	235、265、298、350米	475,米440乙	2.91	3.19天	自宿主发射器	ITO/PEDOT:PSS/tbCz-SO 或 poCz-SO/TmPyPB/Cs 2 CO 3 /Al	5.1升	4.0电子	—	2.6电子	0.16, 0.19	—
	POCz-SO	410	113	−5.6 f	−2.41	231, 278, 291, 348米	475，米458 b	2.90	3.19天	自宿主发射器		6.1升	10.5 è	—	6.2电子	0.18, 0.27	—
康等人。179	ZDZ	—	—	−5.71 f	−2.19	294, 327, 341 n	378 n	2.94 ç	3.51天	2CzPN	ITO (50 nm)/HATCN (7 nm)/TAPC (75 nm)/2CzPN 6 wt% host (ZDZ or ZDN) (20 nm)/TmPyPB (50 nm)/LiF (1.5 nm)/Al (100 nm)	5.00	10.72 Ĵ	—	18.5焦耳	0.17, 0.34	3231
	ZDN	—	—	−5.72 f	−2.27	294, 341 n	378 n	2.92 ç	3.45天	2CzPN		4.70	14.29 Ĵ	—	25.7焦耳	0.17, 0.34	6366
曹等人。157	pCnBCzmme	447	141	−5.31 f	−2.18克	298, 339 m	463 m (51/63 o )	2.69	3.13	4CzCNPy	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/(pCnBzmMe 或 pCNBCzoCF 3或 pCNBCzmCF 3 ):4CzCNPy (40 nm)/TmPyPB (60 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (100 nm)	3.2升	27.8焦耳	16.8焦耳	8.8焦耳	0.31, 0.60	16 100电子
	pCNBCzoCF 3	400	165	−5.39 f	−2.47克	289, 327 m	534 m (13/20 o )	2.64	2.92			3.7升	26.5焦耳	13.4焦耳	8.0焦耳	0.32, 0.61	14 370电子
	pCNBCzmCF 3	402	134	−5.41 f	−2.45克	285, 358米	543 m (43/55 o )	2.64	2.96			3.3升	26.4焦耳	13.5焦耳	8.0焦耳	0.33, 0.60	19 200电子
崔等人。154	29Cz-BID-BT	—	—	−6.01 p	−2.55克	270–300、325、340	360	3.02	3.46	DPAC-TRZ	ITO/HAT-CN (10 nm)/TAPC (35 nm)/host:10 wt% DPAC-TRZ (20 nm)/TSPO1 (10 nm)/TPBi (40 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (120纳米)	—	—	—	20.8	0.16, 0.34	—
	39Cz-BID-BT	—	—	−6.07 p	−2.62克	270–300、325、340	360	3.04	3.45			—	—	—	20.4	0.16, 0.34	—
丁等人。180	9CzFDESPO	511	191	−6.07 f	−2.39 f	341、327、283、263、229米	349, 366, 383 m (49%) q	3.0我	3.68	DMAC-DPS	ITO/MoO 3 (6 nm)/NPB (70 nm)/mCP (5 nm)/9CzFxPO:DMAC-DPS (10%, 20 nm)/DPEPO (5 nm)/BPhen (40 nm)/LiF (1 nm) )/铝	3.50	31.3	28.1	16.7	0.15, 0.30	—
	9CzFDPEPO	474	211	−6.07 f	−2.52 f	341、329、281、228米	349, 366, 383 m (58%) q	3.0我	3.55	DMAC-DPS		3.50	25.1	22.4	13.2	0.15, 0.30	—