光电材料石墨烯气凝胶（GA）是世界上最轻的材料，密度**。

这种低密度，结合高导电性，使光电材料GA成为各种应用的一个有前途的候选者，如电池、超级电容器、传感器等。

基于这一想法，本研究首次讨论了在金属/夹层/半导体肖特基器件结构中使用遗传算法作为界面材料的问题。

利用SEM/EDS、TEM和UV-Vis分析对GA光电材料的形貌和光学性能进行了表征。

通过电流-电压（I-V）研究了Ni/GA/n- si /Al器件的理想系数（n）、势垒高度（Φb）和串联电阻（Rs）等电参数，以了解中间层对器件性能的影响。

为此，我们使用了三种不同的近似（热离子发射（TE）理论、Norde和张）来计算上述器件参数。

另一方面，研究了Ni/GA/n-Si/Al肖特基器件结构在不同光强下的I-V特性，以确定器件的光电参数。结果表明，所制备的器件具有作为光敏二极管的应用潜力。

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