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光电材料|离轴4H-SiC晶体基面上位错同步x射线形貌图像的表面弛豫和光电吸收效应

发布时间：2021-12-29 作者：光电材料分享到：

基于射线追迹原理，建立了较为复杂的模拟模型，模拟了离轴4H-SiC晶体中基面上位错的掠射同步x射线形貌对比，包括基面上位错、偏转螺纹位错和混合位错。

该模型综合了表面弛豫效应和光电吸收效应来预测位错对比。

与传统的射线追踪图像相比，表面弛豫效应决定了晶面附近衍射的位错对比。

由于光电吸收作用，随着衍射光束在晶体内位置的深度增加，模拟位错对比度逐渐减弱。

通过**渗透深度聚合得到的净模拟位错图像的**特征与实验地形图像上观察到的对比特征有很好的相关性。

深度分析显示，在某些情况下，来自位错下方区域的衍射x射线可以提供以前没有考虑到的额外对比特征。

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