设计了不同Al成分分布的AlGaN纳米阵列模型，研究了几何参数对其光学响应和量子效率的影响。

利用COMSOL Multiphysics软件计算分析了轴向倾斜对纳米结构光吸收效率和光场分布的影响。

与垂直纳米结构相比，倾斜结构阵列具有更好的光吸收特性，梯度Al组分AlGaN光电阴极在200 ~ 300 nm波长区域的光电响应更**。

仿真研究发现，致密的纳米结构阵列会重新吸收部分发射电子，利用辅助外电场可以**提高光电阴极的收集效率。

最后，当外电场为2.5 V/μm、纳米线高度为800 nm、入射角为10°时，GaN-Al0.365Ga0.635N层状纳米结构阵列的电响应效率达到30.93%。

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