用水热法，在不同浓度的F−掺杂条件下，在Cu衬底上沉积了F-掺杂的光电材料Cu2O薄膜。

采用XRD、SEM、EDS、UV-Vis和XPS对样品的结构、形貌、组成和禁带带宽进行了表征。

并对其光电特性、电容电压特性和交流阻抗特性进行了研究。未掺杂和f掺杂的Cu2O薄膜均为p型半导体。

当F−掺杂浓度为0.002 mol/L时，择优生长表面为(110)、(111)和(200)，且(111)面结晶度**。掺杂后的Cu2O晶粒尺寸相对均匀。F元素的质量百分比为0.34%，禁带带宽从1.96 eV降低到1.91 eV。

光电压和光电流密度分别增加到0.4457 V和2.79 mA/cm2。载流子浓度从4.55 × 1018 cm−3增加到2.58 × 1022 cm−3。

光下电阻值由183.4 Ω降低到55.8 Ω。采用水热法，在不同浓度的F−掺杂条件下，在Cu衬底上沉积了F-掺杂的光电材料Cu2O薄膜。

采用XRD、SEM、EDS、UV-Vis和XPS对样品的结构、形貌、组成和禁带带宽进行了表征。

并对其光电特性、电容电压特性和交流阻抗特性进行了研究。未掺杂和f掺杂的Cu2O薄膜均为p型半导体。

当F−掺杂浓度为0.002 mol/L时，择优生长表面为(110)、(111)和(200)，且(111)面结晶度**。掺杂后的Cu2O晶粒尺寸相对均匀。

F元素的质量百分比为0.34%，禁带带宽从1.96 eV降低到1.91 eV。光电压和光电流密度分别增加到0.4457 V和2.79 mA/cm2。

载流子浓度从4.55 × 1018 cm−3增加到2.58 × 1022 cm−3。光下电阻值由183.4 Ω降低到55.8 Ω。

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