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光电材料|化学抛光处理对CdZnTe多晶薄膜微观结构、光电性能的影响

发布时间：2022-01-05 作者：光电材料分享到：

本文对近距离升华法(CSS)生长的CdZnTe多晶薄膜进行了化学抛光。

采用能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)、拉曼光谱(Raman)、电流-电压(I-V)特性和电流-时间(I-T)测试了溴化甲醇腐蚀溶液(CH3OH:Br2 = 50:1.5)的腐蚀时间对结构的影响。

CdZnTe多晶薄膜的表面形貌和光电性能。

结果表明，适当的化学抛光时间可以降低CdZnTe薄膜的表面粗糙度、表面缺陷和漏电流。

改善CdZnTe薄膜的光电性能。

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