光电材料|碳硫双孔耦合增强金红石SnO2的光电性能
发布时间:2022-01-10     作者:光电材料   分享到:
采用**性原理计算与实验测量相结合的综合策略,研究了(C, S)共掺杂SnO2的光电性能。
**对纯SnO2和(C, S)共掺杂SnO2的几何特性和电子结构进行理论计算,然后进行实验测量。
通过x射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和x射线光电子能谱(XPS)对(C, S)共掺杂的SnO2进行了表征。
并对制备的纯SnO2电极和(C, S)共掺杂SnO2电极的光电性能进行了研究。
理论计算结果表明,碳原子和硫原子之间通过晶格畸变产生强烈的相互作用。
在价带顶部引入完全填充的能级,**地降低了带隙值,**了带电缺陷。
从而提高了SnO2的光电性能。
此外,实验结果表明,所有样品均为金红石相,掺杂碳和硫通过取代氧进入SnO2晶体。
5%共掺杂样品具有最均匀的球形和分散性,光电流值**(6.8 μA/cm2),电化学阻抗最小。
理论计算和实验结果表明,(C, S)共掺杂SnO2具有**的光电性能。
双孔辅助耦合的掺杂方法有助于高活性氧化锡基光电材料的设计,也为其他同类材料的修饰铺平了道路。
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