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光电材料|利用光电方法识别金属和半导体单壁碳纳米管

发布时间：2022-01-11 作者：光电材料分享到：

提出了一种用于光电材料的光电转换传感器件的深势垒硅结构的创新应用。

详细分析了光伏换能器实现对水溶液中表面活性剂覆盖的金属和半导体单壁碳纳米管进行识别的主要可能性。

用局域静电对光电材料硅表面复合中心参数的影响定性地解释了所得结果。

这种影响可能与表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(SDBS)在纳米管表面吸附分子的偶极矩有关。

此外，在光电材料硅表面缺陷附近会出现带电碎片的空间构型。

碳纳米管识别的另一个可能原因是由于金属和半导体纳米管的极化率不同。

这些结果在史蒂文森-凯斯的理论框架内得到了解释。

研究结果可作为控制和选择不同导电性碳纳米管的依据。

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