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咔唑基TADF材料BFCz-2CN,BTCz-2CN,4CzCF3Ph,4CzCNPy,CyFbCz,5CzCF3Ph,CNBPCz,CzBPCN,DDCzIPN
发布时间:2022-01-13     作者:zhn   分享到:

Lee等人介绍了两种材料,其中咔唑单元与苯并呋喃BFCz-2CN和苯并噻吩BTCz-2CN

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梅等人研究并介绍了非共轭负感应即吸电子对TADF材料的影响。其中,四氟甲基和五咔唑基取代的TADF材料中包含三氟甲基作为电子受体单元,产生4CzCF 3 Ph和5CzCF 3 Ph用于溶液处理。化合物4CzCF 3 Ph显示蓝色发射,而5CzCF 3 Ph显示较低的 3.9 eV 开启电压,这归因于较高的 HOMO 能级和较高的 2436 cd m 亮度 -2 由于较小的单重态-三重态间隙。

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Zhang等人使用了TADF 材料4CzBN和5CzBN(也报告为5CzCN)。探索叔丁基空间拥挤的屏蔽效应,形成4TCzBN屏蔽为5TCzBN,见图1。修改导致 Δ E ST的小幅减少,以及振荡器强度 ( f )的增加。这影响了 PL 效率,对 CIE 坐标的修改最小,但将4TCzBN与4CzBN和4.6倍于与5CzBN的器件使用寿命提高了 2.7 倍


唐等人修改了先前的 PHOLED 主体材料 2,3,5,6-四咔唑基吡啶 (4CzPy),通过在 4 位包含氰基生成4CzCNPy,一种绿色发射体。溶液处理导致具有 TADF 能力和绿色发射的双层器件。

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基于DCzIPN TADF材料设计了双发射核DDCzIPN,旨在提高发射器本身和器件中发射器的光致发光量子效率。DDCzIPN显示出改进的外部量子效率

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咔唑基TADF材料BFCz-2CN,BTCz-2CN,4CzCF3Ph,4CzCNPy,CyFbCz,5CzCF3Ph,CNBPCz,CzBPCN,DDCzIPN的结构式


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小编zhn2022.01.12





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