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光电材料|利用H+、He+和N+离子束注入改性新型光电材料GaN

发布时间：2022-01-17 作者：光电材料分享到：

采用卢瑟福后向散射光谱法和沟道法研究了氮化镓的结构和晶体质量。

采用金属-有机气相外延法在蓝宝石上生长。将不同离子能量和剂量的H+、He+、N+注入GaN中。

对植入后退火进行了研究。通过霍尔测量，我们发现特定温度退火后电阻率增加了7-8个数量级，H+、He+和N+的优化退火温度分别约为200-400℃。

即使在600-700℃退火后，电阻率仍然很高。

我们认为，氮化镓样品的电阻率变化是由空位和植入的放射性损伤引起的。

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