宽频带隙(WBG)半导体与柔性电子器件的集成有望大大提高器件性能，远远超出传统器件的限制。

然而，如何在WBG半导体中获得强健的柔韧性和单晶性是一个挑战。

我们制作了一个独立的AlN薄膜，它可以转移到任何基体上。

基于这一结果，我们进一步研究了AlN的柔韧性以及应变诱导性能。

弯曲应变能**地将AlN薄膜的带隙从6.2 eV减小到4.8 eV，但多次弯曲-不弯曲循环后均未见明显的断裂效应。

此外，还以柔性紫外探测器为平台，探讨了弯曲应力的影响。

与对照样品相比，在0.5 cm弯曲半径处，该光电探测器的响应率提高了161%，上升时间响应加快了31%。

这种性能的提高可能源于带隙的调制或压电光电子效应，这影响了载流子在光电子过程中的迁移。

我们的工作为研究WBG半导体和器件中柔性和应变调制特性之间的耦合效应提供了一个有前途的方法。

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