光电材料|利用H+、He+和N+离子束注入改性新型光电材料GaN
发布时间：2022-01-19 作者：光电材料 分享到：
后向散射光谱法和沟道法研究了氮化镓的结构和晶体质量。采用金属-有机气相外延法在蓝宝石上生长。将不同离子能量和剂量的H+、He+、N+注入GaN中。对植入后退火进行了研究。通过霍尔测量，我们发现特定温度退火后电阻率增加了7-8个数量级，H+、He+和N+的优化退火温度分别约为200-400℃。即使在600-700℃退火后，电阻率仍然很高。我们认为，氮化镓样品的电阻率变化是由空位和植入的放射性损伤引起的。
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