在半导体薄膜上制备均匀、完整的纳米结构是缓解半导体薄膜中常见的诸多电子缺陷的必要工艺。

本研究采用激光直接照射和二次溅射的方法在ITO薄膜上制备了具有良好光电性能的纳米结构。

采用基于脉冲再生放大技术的Nd:YLF飞秒激光系统，波长为800 nm，重复频率为1 kHz。

研究了不同扫描速度和激光诱导的周期性表面结构。在1.86 J cm−2、扫描速度1.1 mm s−1、扫描间距4.5 μm、聚焦激光光斑18.5 μm的条件下，获得了大面积、均匀且损伤较小的纳米结构。

透光率提高21%，片材电阻提高10倍以上。

通过二次溅射对一定厚度的ITO薄膜进行溅射以提高其导电性，并且可以**控制纳米结构的高度。

在**纳米结构高度为90 nm时，与未处理的ITO薄膜表面相比，薄膜的透光率提高了19%，片状电阻减小到1.6倍以下。

这种制备纳米结构的方法无需复杂的加工过程和昂贵的成本，可大大提高光电性能，具有广泛的工业应用前景。

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