构建了光电材料g-ZnO/α-CNH van der Waals （vdW）异质结构。

基于**性原理计算，研究了光电材料g-ZnO/α-CNH异质结构的电子和光学性质。

该异质结构呈现ii型能带排列，在Γ点有方向带隙（1.75 eV），有利于电子空穴对的**分离，延长载流子的寿命。

此外，光电材料g-ZnO/α-CNH异质结界面处存在明显的电荷转移，打破了α-CNH的各向异性，进一步提高了可见光范围内的光学吸收。zno /α-CNH异质结构具有合适的直接带隙、界面上明显的电荷转移和无毒元素，表明其异质结构在可再生能源和光电器件中具有潜在的环保应用前景。

我们的工作也从电荷分布的角度解决了异质结的各向异性或各向同性问题，

并表明打破材料的各向异性可以改善材料的光电性能。该工作为光电器件的设计提供了有价值的参考。

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