具有拓扑半金属和准二维的特性的五碲化锆材料
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新型可解离准二维拓扑半金属材料
线性色散形成的朗道能级与允许的光学跃迁。
与根号磁场线性关系回旋共振，无质量费米子的**现象。
五碲化锆非平庸的拓扑性质和微小的**质量。
通过强磁场下的光谱和输运研究，证明五碲化锆材料同时具有拓扑半金属和准二维的特性。拓扑半金属的元激发准粒子，具有线性色散和无质量特性的狄拉克费米子，导致其高磁阻，**散射，高迁移率等优越的电学特性。
五碲化锆强烈的二维特征和准二维费米面。只有垂直于二维平面的磁场分量才对体系产生影响。
五碲化锆强烈的各项异性。面外方向电子**质量比面内大两个数量级。
该材料可以被解离成长宽比过千的纳米带。分析原因是二维层内碲-碲键的作用力也很弱。这就提供了用机械剥离的方法，来获得准一维材料的机会，为研究低维性质提供全新的思路。
产品列表：
扑绝缘体材料 | As2Te4（碲化砷） | As2Te4碲化砷单晶 |
碲化砷As2Te4(Se1-xTex)3 | ||
Bi2Se3（硒化铋） | 蓝宝石基底CVD Bi2Se3连续膜 | |
Bi2Se3 硒化铋晶体 | ||
单层/少层硒化铋(Bi2Se3)薄膜 | ||
Bi2Se3/C纳米复合材料 | ||
Bi2Se3硒化铋单晶薄膜 | ||
多功能硒化铋纳米复合物 | ||
Bi2Se3 硒化铋孤立晶粒 | ||
硒化铋Bi2Se3二维层状拓扑绝缘体材料 | ||
少层硒化铋纳米片及其纳米金-硒化铋复合材料 | ||
In掺杂Bi2Se3(Bi2–xInxSe3)单晶 | ||
硒化铋与掺铜硒化铋薄膜 | ||
BSA-Bi2Se3硒化铋 | ||
Bi2Se3硒化铋纳米复合热电材料 | ||
分子束外延生长Bi2Se3拓扑绝缘体 | ||
硒化物CuGaSe2和Bi2Se3复合物 | ||
少数层硒化铋纳米片 | ||
少层拓扑绝缘体硒化铋(Bi2Se3) | ||
拓扑绝缘体硒化铋纳米复合物 | ||
Bi2Te3（碲化铋） | Bi2Te3 碲化铋晶体材料 | |
Bi2Te3 碲化铋粉体材料 | ||
Bi2Te3 碲化铋半导体材料 | ||
热电纳米材料碲化铋(Bi2Te3) | ||
单层/多层/少层Bi2Te3碲化铋材料 | ||
光热协同致电的碲化镉/碲化铋 | ||
碲化铋改性BiOCl形成光响应型花状催化剂 | ||
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Bi2Te3块体热电材料 | ||
碲化铋基热电薄膜 | ||
聚苯乙烯磺酸/碲化铋气凝胶复合热电材料 | ||
掺杂Ag,Au,SiO2的纳米碲化铋 | ||
纳米碲化铋Bi2Te3 | ||
Sb2Te3（碲化锑） | Sb2Te3碲化锑薄膜材料 | |
Sb2Te3 碲化锑晶体材料 | ||
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Sb2Te3 碲化锑红外量子点 | ||
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热电材料高纯碲化锑Sb2Te3 | ||
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原位电子束诱导碲化锑(Sb2Te3) | ||
氟化锶和碲化锑纳米材料 | ||
钪掺杂碲化锑相变材料 | ||
Sb2Te3体系拓扑绝缘体 | ||
Bi2Se5Te15（硫酸铋） | Bi2Se5Te15硫酸铋晶体材料 | |
Bi2Se5Te15硫酸铋粉末材料 | ||
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Bi4Te15S5粉末材料 | ||
Bi4Te15S5薄膜材料 | ||
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BiTITe粉末材料 | ||
BiTITe晶体材料 | ||
绝缘体材料 | MICA白云母 | 片状/层状MICA白云母晶体薄片 |
六方晶体细粒MICA白云母 | ||
薄片无色透明MICA白云母 | ||
白云母（10片装） MICA muscovite V1 | ||
白云母（5片装） MICA muscovite V1 (Muscovi | ||
白云母（1片装） MICA muscovite V1 (Muscovi |
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