在单个芯片上实现多个器件的垂直单片集成已经成为克服材料和物理性能的基本限制的一种有前途的方法，通过集成解决方案，提供了利用其互补物理特性的独特机会，以**提高器件性能。

在此，我们设计了一种深紫外发光二极管(DUV LED)，并集成了由p-GaN/本征GaN/n-GaN (p-i-n GaN)结构组成的乘性光电转换器(MPC)，以诱导电光转换，从而大大提高空穴注入效率。

这种p-i-n GaN结构**通过吸收DUV光，然后产生电子空穴对，起到空穴倍增器的作用。

在p-i-n GaN结构中，新生成的电子-空穴对**被电场分开，使多个空穴被驱动到多个量子阱中，**促进了辐射复合，从而实现了21.6%的高壁塞效率(WPE)。

与传统的DUV led相比，WPE增强了60倍。本文所演示的单片集成策略为开发**发光器件提供了思路。

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西安齐岳生物科技有限公司是国内光电材料，纳米材料，聚合物；化学试剂供应商；**于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料（聚集诱导发光材料）和发光探针（磷脂探针和酶探针）、碳量子点、金属纳米簇；嵌段共聚物等一系列产品。sjl2022/02/11