通过密度泛函理论(DFT)计算，探讨了(Mg, S)共掺杂金红石SnO2的电子结构和导电机理。

结果表明，在SnO2中，受主金属Mg辅助S与邻近的O的耦合，为SnO2的禁带引入了新的能级，从而改善了SnO2的光电性能。基于这一结果，我们提出了一种将DFT计算与实验相结合的综合策略来研究水热法制备的(Mg, S)共掺杂SnO2的光电性能。

采用导电玻璃(FTO)制备(Mg, S)共掺杂二氧化锡电极。扫描电镜、x射线衍射、x射线光电子能谱和紫外-可见漫反射光谱结果证实，SnO2细胞中存在Mg和S元素的掺入。

此外，光电性能测试表明(Mg, S)共掺杂可以提高光电性能。

当共掺杂比例为5%时，光电流**(0.50 μA/cm2)，阻抗最小。

因此，(Mg, S)共掺杂的SnO2是光电催化的有力候选材料。

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